SFP50N06
图1.在国家特色
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
如图2传输特性
10
2
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
175 C
10
1
o
10
1
25 C
-55 C
o
o
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
10
0
10
0
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
70
图4.在国家电流与
允许外壳温度
R
DS （ ON）
,
漏极到源极的电阻[ mΩ的]
60
50
40
30
20
10
0
10
2
V
GS
=10V
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
V
GS
=20V
175 C
o
25 C
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
o
※
注吨
J
= 25 C
o
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
3000
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
2500
10
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
电容[ pF的]
2000
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
8
1500
6
1000
C
国际空间站
C
OSS
4
500
2
※
注：我
D
= 50A
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
DS
，漏源电压[V]
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
3/7
