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初步
最大额定值
[21]
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度-65 ................................
°
C至+ 150
°
C
环境温度与
电源应用............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位.............. -0.5V至+ 4.6V
直流电压适用于
在高阻状态..........................- 0.5V至V输出
DD
+ 0.5V
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
直流输入电压.............................. -0.5V至V
DD
+ 0.5V
[22]
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2000V
( JEDEC JESD22- A114-2000B )
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.3V
± 165 mV的
3.3V
± 165 mV的
V
CORE
1.8V
= 100 mV的
1.8V
= 100mV的
电气特性
在整个工作范围
-167
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
OZ
I
IX1
I
IX2
I
CC
-133
MAX 。 MIN 。
2.4
0.4
0.4
2.0
0.8
0.8
–10
–10
–0.1
225
410
10
10
1.0
300
580
115
-10
-10
-0.1
10
10
1.0
2.0
-100
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
描述
产品型号
分钟。
2.4
典型值。
典型值。
典型值
最大
单位
V
V
V
输出高电压(V
DD
=最小值,我
OH
= –4.0
毫安)
输出低电压(V
DD
=最小值,我
OL
= +4.0
毫安)
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
输入漏电流除TDI , TMS ,
MRST
输入漏电流TDI , TMS , MRST
工作电流
(V
DD
=最大,我
OUT
= 0 mA)的,
输出禁用
待机电流
(两个端口TTL电平)
CE
L
和CE
R
V
IH
, f = f
最大
待机电流
(一个端口TTL电平)
CE
L
| CE
R
V
IH
, f = f
最大
待机电流(两个端口均
CMOS电平) CE
L
和CE
R
V
DD
- 0.2V , F = 0
待机电流
(一个端口CMOS电平)
CE
L
| CE
R
V
IH
, f = f
最大
工作电流
( VDDIO =最大值, IOUT = 0毫安, F = 0 )
输出禁用
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
2.0
–10
–10
–0.1
225
0.8
10
10
1.0
V
A
A
mA
mA
300
315
450
mA
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
SB4
I
SB5
I
CORE
90
115
90
160
210
160
210
mA
55
75
55
75
mA
160
210
160
210
mA
75
75
mA
核心工作电流(V
DD
=最大,我
OUT
= 0 mA时) ,输出禁用
0
0
0
0
0
0
mA
电容
[23]
产品编号
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
参数
C
IN
C
OUT
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
DD
= 3.3V
马克斯。
20
10
[24]
40
20
单位
pF
pF
pF
pF
注意:
21.对任何输入或I电压/ O引脚不能超过电期间的电源引脚。
22.脉冲宽度< 20纳秒。
23. C
OUT
还引用
I / O
文件编号: 38-06069牧师* D
第11页共26

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