Si1012R/X
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.70 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.85 @ V
GS
= 2.5 V
1.25 @ V
GS
= 1.8 V
I
D
（MA ）
600
500
350
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 0.7
W
低阈值： 0.8 V（典型值）
快速Swtiching速度： 10纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A或SC -89
G
1
订货信息：
SC- 75A （ SOT- 416 ） ：
Si1012R -标识代码：C
SC- 89 （ SOT- 490 ） ：
Si1012X标记代码：a
顶视图
3
D
S
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
b
_
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
最大功率耗散
b
为SC- 75
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
ESD
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
275
175
90
275
160
-55到150
2000
符号
V
DS
V
GS
5秒
20
稳定状态
单位
V
"6
600
500
350
1000
250
150
80
250
140
I
D
400
mA
mW
最大功率耗散
b
为SC- 89
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
文档编号： 71166
S- 02464 -REV 。 A， 25 - OCT- 00
_C
V
www.vishay.com
1
