Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
3.0
I
GSS
与温度的关系
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- （毫安）
2.5
2.0
–0.0
1.5
–0.1
1.0
V
GS
= 4.5 V
–0.2
0.5
–0.3
–50
–25
0
25
50
75
100
125
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（ _C ）
T
J
- 温度（ _C ）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
- 栅极 - 源极击穿电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 833 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71166
S- 02464 -REV 。 A， 25 - OCT- 00
