飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS
（TM）
晶体管
PSMN005-55B;
PSMN005-55P
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
栅 - 源电压，V GS （V）的
ID = 75A的
TJ = 25℃
100
最大雪崩电流，I
AS
(A)
25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
10
TJ前雪崩= 150℃
0
25
50
75
100 125 150 175
栅极电荷QG （ NC）
200
225
250
1
0.001
0.01
0.1
雪崩时间，t
AV
（女士）
1
10
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
)
图15 。最大允许非重复
雪崩电流（I
AS
）与雪崩时间（t
AV
);
非钳位感性负载
100
IF / A
80
60
TJ / C =
40
175
25
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
VSDS / V
0.7
0.8
0.9
1
1.1
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1999年10月
7
启1.200
