飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS
（TM）
晶体管
PSMN005-55B;
PSMN005-55P
100
ID / A
80
2.25
2
1.75
1.5
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
60
1.25
1
40
TJ =
175
25
0.75
0.5
20
0.25
0
-60 -40 -20
0
0.5
1
1.5
VGS / V
2
2.5
3
3.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
150
GFS / S
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
100
1.0E-03
最低
典型
1.0E-04
50
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
0.5
1
1.5
2
栅 - 源电压，V GS （V）的
2.5
3
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
正规化的导通状态电阻
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
100000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年10月
6
启1.200
