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修订- W03 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BWG
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
写周期（ BC控制模式）
A
0~17
t
su
(A)
BC1,BC2
S1
(Note3)
t
CW
t
su
（ BC1 ）或
t
su
(BC2)
t
REC
(W)
(Note3)
S2
(Note3)
(Note5)
(Note4)
(Note3)
(Note3)
W
t
su
(D)
DATA IN
稳定
t
h
(D)
(Note3)
DQ
1~16
注3 ：孵化表示状态是"don't care" 。
注4 ：发生写入时低S1 ，S2高OV erlaps和BC1 / BC2或低和W低。
注5 ：当W的歼奥林边缘同时BC1和/或BC2或S1的歼奥林边缘的F奥林边缘或之前
或上升S2的边缘，输出被保持在高阻抗状态。
注6 ：不适用INV erted相位信号时，外部DQ引脚处于输出模式。
三菱电机
6
