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修订- W03 ， “ 98.12.16
三菱的LSI
M5M5V416BWG
描述
该M5M5V416B是低V oltage 4兆位静态RAM的AF艾米莉逃不脱
16位组织为262,144字，女abricated三菱的
高的性能有所0.25μmCMOS工艺。
该M5M5V416B适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
M5M5V416BWG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
与采用7mm x 8.5毫米大纲， 6× 8 （ 48PIN ）球矩阵
为0.75mm球间距。它GIV ES的最佳解决方案F或压实
安装面积以及布线模式f lexibility的印刷
电路板。
从工作温度的点，的F艾米莉逃不脱是格ided
三个V ersions ; "Standard" ， "W -V ersion"和"I -V ersion" 。
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5V416BWG -70L
M5M5V416BWG -85L
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
特点
单+ 2.7 + 3.6V电源
小的待机电流： （ 3V ， TY P） 0.3μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0V至3.6V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1，S2， BC1和BC2容易记忆膨胀
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
工艺技术： 0.25微米CMOS
包装： 48PIN采用7mm x 8.5毫米CSP
待机用C光凭目前的Icc
（PD）的
， VCC = 3.0V
ACTIV ê
当前
额定值（最大值）
Icc1
25 ℃， 40 ℃， 70 ℃， 85 ℃（ 3.0V ， TY页）
---
---
20A
---
动力
供应
存取时间
TY ·皮卡尔
25°C
---
40°C
---
马克斯。
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
70ns
85ns
100ns
标准
0 ~ +70°C
M5M5V416BWG -10L
M5M5V416BWG -70H
M5M5V416BWG -85H
M5M5V416BWG -10H
M5M5V416BWG -70LW
M5M5V416BWG -85LW
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
1A
3A
10A
---
---
---
---
---
20A 40A
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
W-
V版为
M5M5V416BWG -10LW
M5M5V416BWG -85HW
M5M5V416BWG -10HW
M5M5V416WG -70LI
M5M5V416BWG -85LI
-20 ~ +85°C
M5M5V416BWG -70HW
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
---
---
1A
---
3A
---
10A 20A
20A 40A
I-
V版为
2.7 ~ 3.6V
M5M5V416BWG -10LI
M5M5V416BWG -85HI
M5M5V416BWG -10HI
-40 ~ +85°C
M5M5V416BWG -70HI
2.7 ~ 3.6V
0.3A 1A
1A
3A
10A 20A
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
B
C
D
E
F
G
概要：
48FHA
NC ：无连接
H
1
BC1
* "ty pical"参数进行采样，而不是100 ％测试。
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
针
DQ9
BC2
A3
A4
S1
DQ1
功能
地址输入
数据输入/输出
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 8 ）
上到TE （ DQ9 16 ）
电源
供应地
A0 ~ A17
DQ1 DQ16
DQ10
DQ11
A5
A6
DQ2
DQ3
S1
GND
DQ12
A17
A7
DQ4
VCC
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
VCC
DQ13
GND
A16
DQ5
GND
DQ15
DQ14
A14
A15
DQ6
DQ7
DQ16
北卡罗来纳州
A12
A13
W
DQ8
北卡罗来纳州
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
三菱电机
1
