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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FL灰内存
1.5
产品特点
90nm
1.8V (1.7V ~ 1.95V), 2.65V (2.4 ~ 2.9V), 3.3V (2.7 ~3.6V)
16位
1KB BootRAM ， 4KB DataRAM
（ 2K + 64 ） B页面大小（ 128K + 4K ） B座大小
设备架构
设计技术：
电源电压：
主机接口：
5KB内部BufferRAM ：
SLC NAND阵列：
设备性能
主机接口类型：
可编程突发读取延迟
多扇区读：
多种复位方式：
多块擦除：
低功耗：
同步突发读
- 高达54MHz的时钟频率
- 线性突发4,8 ， 16 ， 32 ，单词回绕
- 连续1K字顺序突发
异步随机读
- 76ns存取时间
异步随机写入
延迟3 （高达40MHz ） ，4， 5，6，和7
使用部门计数寄存器多达4个扇区
冷/暖/热/ NAND闪存复位
多达64块
典型的电源，
- 待机电流：
10uA@1.8Vdevice,
35uA@2.65V/3.3V设备
- 同步突发读取电流： 12mA@1.8Vdevice
22mA@2.65V/3.3V设备
- 负载电流：
30毫安@所有的设备
- 程序电流：
25mA@1.8v设备
28mA@2.65V/3.3V设备
- 擦除电流：
20mA@1.8V设备
23mA@2.65V/3.3V设备
- 多块擦除电流：
20mA@1.8V设备
23mA@2.65V/3.3V设备
系统硬件
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ / RP ）
- 写保护BootRAM
数据保护模式
- 写保护的NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
握手功能
详细芯片信息
- INT引脚指示就绪/忙
- 轮询中断状态寄存器位
- 通过ID寄存器
包装
63ball ， 9.5毫米x 12毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
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