OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FL灰内存
1.1
OneNAND闪存
修订历史
文档标题
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.更正勘误表
2.修改缓存中读取流程图
3.修订待机电流
4.修改后备用区的描述
5.添加CE不在乎状态Asynch写，加载，程序和块
擦除时序图
1.增加了复制回操作使用随机数据输入
2.改变TBA从11ns的到11.5ns
3.主动挂起擦除电流
草案日期
2004年11月4日
2004年12月7日
备注
初步
初步
0.2
2004年12月24日
初步
0.3
1.更正勘误表
2005年1月13日
2.修改ISB典型值从50uA的降至10uA
3.修订ISB从为100uA至50uA的最大值
4.修订TCE ， TAA和TACC的最大值从70ns的到76ns
5.修订的VCC- IO描述
6.修订备用区的描述
在控制器状态寄存器7.增加了额外的信息
8.增加了相关的命令来中断状态寄存器的位
在3.4.3章修9写保护状态
10.修回写程序操作说明
11.添加了额外的信息，多块擦除操作
12.禁用FBA限制在OTP操作
13.修正缓存中读取流程图
14.修正复位参数说明
在热复位时序图15.添加RDY信息
16.增加了数据保护时间在掉电信息
17.修正中断引脚上升和下降的斜率曲线图
18.加限制的双重操作地址寄存器设置
19.加限制的高速缓存读操作地址寄存器设置
1.更正勘误表
2.更新DC参数的RMS值
产品编号3.增加速度信息
4.修订tOEZ描述
5.修订OTP寄存器的设置限制
6.增加引导顺序Infrormation的技术说明
7.目标类添加信息
2005年2月25日
初步
0.4
初步
3
