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三菱的LSI
M5M532R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
TA = 25℃
相对于GND
条件
评级
-3.5* ~ 7
* -3.5 VCC + 0.3
* -3.5 VCC + 0.3
1000
0 ~ 70
-10 ~ 85
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mW
C
C
C
TSTG （偏置）存储温度（偏置）
储存温度
*脉冲宽度<为20ns ，在案件DC ： - 0.5V
=
DC电气特性
符号
VIH
VIL
VOH
VOL
II
IOZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ TTL电平）
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
条件
民
2.2
-0.3*
2.4
范围
典型值
最大
Vcc+0.3
0.8
0.4
2
10
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
AC（周期为10ns ）
AC（周期为12ns ）
AC（ 15ns的周期）
DC
170
150
130
110
70
65
60
50
5
单位
V
V
V
V
A
A
IOH = - 4毫安
IOL = 8毫安
V I = 0 Vcc的
VI （ / S） = VIH
VO = 0 Vcc的
VI （ / S ）= VIL
其他输入VIH或VIL
输出开（占空比100 ％ ）
我CC1
mA
100
我CC2
待机电源电流
（ TTL电平）
待机电流
（ MOS级）
VI （ / S） = VIH
mA
＆ GT ;
VI （ / S） = VCC = 0.2V
其他投入VI < 0.2V
我CC3
=
＆ GT ;
或VI = VCC - 0.2V
*脉冲宽度<为20ns ，如果交流： - 3.0V
=
mA
电容
（大= 0 70
符号
C， VCC = 5V ± 10％ ，除非另有说明）
测试条件
民
极限
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
参数
C
I
输入电容
V
I
= GND ，V
i
=25mVrms,f=1MHz
C
O
输出电容
V
o
= GND ，V
o
=25mVrms,f=1MHz
注1 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
2 ：典型值是VCC = 5V ，TA = 25℃
3: C
I
,C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
AC电气特性
（大= 0 70℃ ， VCC = 5V ±10 ％
（1）测定条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出时序参考电平
输出负载
V
IH
=3.0V, V
IL
=0.0V
3ns
V
IH
=1.5V, V
IL
=1.5V
V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
Fig1,Fig2
DQ
中，除非另有说明）
VCC
480
DQ
50
255
(
包括夹具
)
范围和
VL=1.5V
图1输出负载
(
5pF
INCLUDING
范围，夹具
)
图2输出负载在t
en
, t
DIS
三菱
电
3
