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三菱的LSI
M5M532R16J,TP-10,-12,-15
524288 - BIT （ 32768 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能表
/S
L
L
L
L
L
L
L
L
H
/W
H
H
H
L
L
L
H
X
X
/ OE / LB / UB
L
L
L
X
X
X
H
X
X
L
H
L
L
H
L
X
H
X
L
L
H
L
L
H
X
H
X
非选择
高阻抗
高阻抗
支持
模式
读周期的所有字节
读周期较高的字节
读周期较低的字节
写周期的所有字节
写周期较高的字节
写周期较低的字节
输出禁用
DQ1 - 8
D
OUT
高阻抗
D
OUT
D
IN
高阻抗
D
IN
高阻抗
DQ9 - 16
D
OUT
D
OUT
高阻抗
D
IN
D
IN
高阻抗
高阻抗
ICC
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
框图
A7
27
A6
42
A2
3
A1
4
A0
5
A14
18
A13
19
A12
20
A11
21
ROW输入缓冲器
7
8
9
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
行地址
解码器
产量
缓冲器
地址
输入
存储阵列
512行
1024列
10
13
14
15
16
DQ8
芯片选择
输入
写
控制输入
/S
6
列I / O电路
/W
17
产量
缓冲器
数据
输入
缓冲器
产量
使能输入
/ OE
41
列地址
解码器
29
30
31
32
35
36
37
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
38
DQ16
11
33
12
34
VCC
GND
低字节
控制输入
/磅
39
24 25 26 43
44
2
A10 A9 A8 A5 A4 A3
地址输入
三菱
电
2
数据
输入
缓冲器
高字节
控制输入
/ UB
40
COLUMN输入缓冲器
