STN1NB80
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 400 V I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 640 V
I
D
= 1.1 V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
8
10
10
5
3.6
14
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 640 V I
D
= 1.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
牛逼YP 。
40
16
50
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=0.2 A
V
GS
= 0
460
1150
5
I
SD
= 1.1的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 100 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
0.2
0.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
