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STN1NB80
N - 通道800V - 16
- 0.2A - SOT- 223
的PowerMESH MOSFET
TYPE
ST N1NB80
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 20
I
D
0.2 A
典型
DS （ ON）
= 16
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
2
3
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
低R
DS （ ON）
单位面积，出色的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
AC转接器和电池充电器
为手持设备提供
SOT-223
2
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
的dv / dt （
1
)
T
s TG
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
o
o
价值
800
800
±
30
0.2
0.12
0.8
2.9
0.02
4
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
0.2 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年11月
STN1NB80
热数据
R
THJ -case
Rthj -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
43
60
0.7
260
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
o
（起始物为
j
= 25℃ ，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大VALU ê
0.2
200
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
800
1
50
±
100
牛逼YP 。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
=0.2 A
0.2
分钟。
3
牛逼YP 。
4
16
马克斯。
5
20
单位
V
A
静态漏源0：N V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 0
分钟。
0.1
牛逼YP 。
0.4
140
22
2.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STN1NB80
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 400 V I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 640 V
I
D
= 1.1 V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
8
10
10
5
3.6
14
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 640 V I
D
= 1.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
牛逼YP 。
40
16
50
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=0.2 A
V
GS
= 0
460
1150
5
I
SD
= 1.1的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 100 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
0.2
0.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
STN1NB80
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STN1NB80
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
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SCL-2Y2012-181
S71WS512ND0BAWTP0
SM5002LAS
S29GL032A11BAIR23
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