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SDRAM （ Rev.1.01 ）
单数据速率
七月'01
三菱的LSI
M2V56S20 /四十分之三十〇三磷酸腺苷-5，-6 ，-7
256M同步DRAM
开关特性
（大= 0 70°C ， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
范围
符号
参数
分钟。
CL=2
TAC
从CLK访问时间
CL=3
CL=2
TOH
从CLK输出保持时间
CL=3
TOLZ
延迟时间，输出低电平
从CLK阻抗
延迟时间，产量高
从CLK impedannce
CL=2
CL=3
3
0
3
3
5.4
5.4
3
0
3
3
6
5.4
3
0
3
3
6
6
ns
ns
ns
ns
3
5.4
3
5.4
3
6
ns
ns
-5
最大
5.4
分钟。
-6
最大
6
分钟。
-7
最大
6
ns
单位
tOHZ
注。如果潮流（CLK上升时间）为>为1ns ， （文/ 2 - 0.5ns的）应该被添加到的参数。
输出负载条件
VOUT
50pF
CLK
1.4V
DQ
TOLZ
TAC
TOH
tOHZ
1.4V
三菱电机
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