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SDRAM （ Rev.1.01 ）
单数据速率
七月'01
三菱的LSI
M2V56S20 /四十分之三十〇三磷酸腺苷-5，-6 ，-7
256M同步DRAM
绝对最大额定值
符号
VDD
VDDQ
VI
VO
IO
Pd
TOPR
TSTG
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
输出电流
功耗
工作温度图
存储Tempreture
Ta=25'C
条件
相对于VSS
相对于VSSQ
相对于VSS
相对于VSSQ
评级
单位
V
V
V
V
mA
mW
'C
'C
-0.5 ~ 4.6
-0.5 ~ 4.6
-0.5 VDD + 0.5
-0.5 VDDQ + 0.5
50
1000
0~ 70
-65 ~ 150
推荐工作条件
例（Ta = 070 ℃，除非另有说明）
范围
符号
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VIH
VIL
参数
分钟。
电源电压
电源电压
电源电压输出
电源电压输出FO
高电平输入电压所有输入
低电平输入电压所有输入
3.0
0
3.0
0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
0
3.3
0
马克斯。
3.6
0
3.6
0
Vdd+0.3
0.8
V
V
V
V
V
V
单位
电容
（大= 0 70°C ， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
范围
符号
CI （ A）
CI （ C）
CI （ K）
CI / O
参数
输入电容，地址引脚
输入电容，控制引脚
输入电容， CLK引脚
输入电容， I / O引脚
VI=1.4V
f=1MHz
VI=25mVrms
测试条件
分钟。
2.5
2.5
2.5
4.0
马克斯。
3.8
3.8
3.5
6.5
pF
pF
pF
pF
单位
三菱电机
29
