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SDRAM （ Rev.1.01 ）
单数据速率
七月'01
三菱的LSI
M2V56S20 /四十分之三十〇三磷酸腺苷-5，-6 ，-7
256M同步DRAM
[写了预充电打断]
猝发写操作可通过预充电被中断
同一家银行。
写恢复时间（ tWR的）是
从最后的数据到PRE命令所需。期间写入恢复，数据输入必须由被屏蔽
DQM 。
通过写中断预充电（BL = 4 ）
CLK
命令
法案
写
PRE
激进党
法案
A0-9,11-12
Xa
Ya
Xa
A10
0
0
0
0
BA0-1
00
00
00
00
DQM
tWR的
DQ
Da0
Da1
[写爆裂中断终止]
突发终止命令可以终止突发写入操作。在这种情况下，写入恢复时间是
不需要与银行保持有效。写TBST间隔至少1个CLK 。
写操作终止中断（ BL = 4 ）
CLK
命令
法案
写
TBST
写
A0-9,11-12
Xa
Ya
Yb
A10
0
0
0
BA0-1
00
00
00
DQ
Da0
Da1
Db0
Db1
Db2
Db3
三菱电机
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