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SDRAM （ Rev.1.01 ）
单数据速率
七月'01
三菱的LSI
M2V56S20 /四十分之三十〇三磷酸腺苷-5，-6 ，-7
256M同步DRAM
上电顺序
开始正常运转之前，在序列以下电源是必要的，以防止
SDRAM从损坏或失灵。
1.接通电源并启动时钟。试图维持CKE高， DQM高NOP条件的
输入。
2.保持稳定的电源，稳定的时钟和NOP输入条件最少的为100μs 。
3.发出预充电命令适用于所有银行。 （ PRE或PREA ）
4.所有银行后变成空闲状态（TRP之后） ，发行2个或多个自动刷新命令。
5.发行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
这些序列后， SDRAM处于空闲状态，并可以正常运行。
模式寄存器
突发长度，突发类型和/ CAS延迟可以通过编程
设置模式寄存器（ MRS） 。该模式寄存器存储这些数据
直到下一个MRS命令，该命令可能会发出当所有银行都在
空闲状态。从刘健命令TRSC后， SDRAM准备
新的命令。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
V
BA0,1 A12 -A0
BA0 BA1 A12 A11 A10 A9
0
0
0
0
0
SW
A8
0
A7
0
A6
A5
A4
A3
BT
A2
A1
BL
A0
LTMODE
SW
0
1
突发写
单写
0
0
0
0
1
1
1
1
BL
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
潜伏期
模式
CL
000
001
010
011
100
101
110
111
/ CAS延时
R
R
2
3
R
R
R
R
BURST
长
BT=0
1
2
4
8
R
R
R
整页
BT=1
1
2
4
8
R
R
R
R
BURST
TYPE
顺序
交错
R：保留供以后使用
三菱电机
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