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4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
兼容状态寄存器
WSMS
7
ESS
6
ES
5
DWS
4
VPPS
3
R
2
R
1
R
0
CSR.7 =写状态机状态（ WSMS ）
1 =就绪
0 =忙
CSR.6 =擦除暂停状态（ ESS ）
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
CSR.5 =擦除状态（ ES ）
1 =错误在块擦除
0 =成功的块擦除
CSR.4 =数据写入状态（ DWS ）
1 =错误的数据写
0 =数据写成功
CSR.3 = V
PP
STATUS （ VPPS ）
1 = V
PP
低检测，操作中止
0 = V
PP
OK
注意事项：
1. RY
/ BY
输出或WSMS位必须被检查，以确定
操作完成后（擦除暂停，删除或数据
之前，适当的状态位写） （ ESS ， ES或DWS ）
被选中的成功。
2.如果DWS和ES都在擦除尝试设置为' 1'时，一
不正确的指令序列输入。明确企业社会责任
并再次尝试操作。
3. VPPS位，不像一个A / D转换器，没有提供
V的连续指示
PP
的水平。在WSM询问
V
PP
的水平后，才在数据写入或擦除命令
序列已被输入，并且如果通知系统
V
PP
一直没有接通。 VPPS不能保证
报告V之间的精确反馈
PPL
和V
PPH
.
4. CSR.2 - CSR.0 =保留了进一步的增强。
这些位被保留以供将来使用，并且应
屏蔽掉，当轮询的企业社会责任。
4M闪存
软件算法
概观
凭借先进的命令的用户界面，其Per-
formance强化指令寄存器和状态寄存器
TER值，所需要的软件代码来执行给定
操作可能变得更密集，但它会导致
在高得多的写入/擦除性能较
目前的闪存架构。
软件流程图描述了如何在给定OP-
关合作收益都在这里显示。图4至图6
使用第二代闪光装置描绘的流程图
在LH28F008SA兼容模式。图7到图
12说明使用第二代闪存流程图
设备的性能增强指令模式。
当设备上电或设备被重置
RP
销，所有块拿出锁定。因此，字/
写字节，两个字节串行写入和块擦除即可
不会在每个块中进行的。然而，在那个时候，
擦除所有未锁定块正常进行，如果使用的话
而不代表实际的锁定状态，也解锁块
数据被擦除。当设备加电或设备
通过RP复位
销，设置写保护命令必须是
写反映实际的块锁定状态。
复位写保护命令必须写BE-
前写块锁定命令。以反映实际的块
锁定状态，设置写保护命令成功。
的兼容状态寄存器（ CSR），用于
确定哪些块被锁定。为了看到锁
某块的状态，一个字/字节写命令
（ WA =块地址， WD = FHH ）被写入到崔，
发行后，将保护写入命令。如果CSR.7 ，
CSR.5和CSR.4 （ WSMS ， ES和DWS ）被设置为
'1' ，则块被锁定。如果CSR.7被设置为' 1'时，该块是
未锁定。
复位写保护命令允许写入/擦除
操作到各块。
在块擦除的情况下被执行时，该块
也将被删除锁定信息。块锁定命令
并设置写保护命令必须被写入到亲
hibit写/擦除操作，每个数据块。
有未分配的命令。它不推荐
谁料，客户使用于其他任何命令
在“命令总线Defi-规定的有效命令
nitions “ 。夏普保留重新定义这些代码的权利
对于未来的功能。
请不要执行重新编程为0的位
它已经被编程为0 OP-覆盖
关合作可能产生unerasable位。如果重现的
编程为0这一直是亲的字节数据
编程1 。
程序0中，你要更改的位
数据从1到0 。
计划1位业已亲
编程0 。
例如，改变字节的数据从10111101到
10111100 11111110需要编程。
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