LH28F400SU-NC
特点
56引脚TSOP
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）
FL灰内存
顶视图
用户可配置的x8或x16操作
5 V写/擦除操作（ 5 V V
PP
)
- 没有要求的DC / DC转换器
写/擦除
NC
NC
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE
RP
NC
NC
V
PP
RY / BY
NC
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
GND
CE
A
0
NC
NC
60 ns最大访问时间
(V
CC
= 5.0 V ± 0.25 V)
80ns的最大访问时间
(V
CC
= 5.0 V ± 0.5 V)
32独立带锁块（ 16K ）
每座100,000次擦写循环
自动化的字节写入/擦除块
- 命令的用户界面
状态寄存器
- RY
/ BY
状态输出
系统性能增强
- 擦除挂起的读
- 两字节写
- 整片擦除
数据保护
- 在硬件擦除/写入锁定
电源转换
- 软件擦除/写锁定
独立带锁的写入/擦除
对每个块（锁座和保护
置位/复位）
5 μA （典型值）I
CC
在CMOS待机
0.2 μA （典型值）深度掉电
0.45微米ETOX 闪存国家的最先进的
技术
28F400SUT-NC60-1
图1. 56引脚TSOP配置
56引脚， 1.2毫米× 14毫米× 20毫米TSOP
（I型）封装
48引脚， 1.2毫米×12平方毫米× 18毫米TSOP
（I型）封装
44引脚， 600万SOP封装
1
LH28F400SU-NC
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
48针TSOP
顶视图
44引脚SOP
V
PP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
顶视图
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE
RP
V
PP
NC
RY / BY
NC
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
GND
CE
A
0
RP / BY
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
GND
OE
DQ
0
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
28F400SUT-NC60-23
图3. 44引脚SOP配置
28F400SUT-NC60-24
图2. 48引脚TSOP配置
2
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
DQ
8
- DQ
15
DQ
0
- DQ
7
产量
卜FF器
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
ID
注册
数据
队列
注册
I / O
逻辑
字节
企业社会责任
产量
多路复用器
注册
ESRS
崔
CE
OE
WE
RP
数据
比较
A
-1,0
- A
17
输入
卜FF器
y解码器
16KB的块0
门控/传感
16KB块30
16KB块31
16KB块1
WSM
RY / BY
地址
队列
锁存器
...
X解码器
...
地址
计数器
...
计划/
抹去
电压
开关
V
PP
V
CC
GND
28F400SUT-NC60-2
图4. LH28F400SU -NC框图
3
LH28F400SU-NC
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
字节选择的地址：
高字节和低字节之间进行选择时，设备处于
x8模式。此地址锁存X8数据写入。不使用在x16模式（即，该
DQ
15
/A
-1
输入缓冲器被关断时，字节为高） 。
WORD -选择地址：
选择一个16K块中的字。这些
地址锁存过程中的数据写入。
BLOCK -选择地址：
选择1的32擦除块。这些地址是
锁定在数据写入，擦除和锁定块操作。
低字节数据总线：
期间，CUI写周期的输入数据和命令。
在适当的阅读模式输出数组，缓冲区，标识或状态的数据。
浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
高字节数据总线：
在x16的数据写入操作的输入数据。输出
阵，缓冲或在适当的阅读模式标识符的数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
DQ
15
/A
-1
是的地址。
芯片使能输入：
激活设备控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 CE
必须为低来选择设备。
RESET / POWER- DOWN ：
随着RP
低时，该装置被复位时，所有目前操作是
中止和设备进入深度掉电模式。当电源
开机后， RP
引脚变为低电平，以返回设备默认设置就能
成形。当发生电源过渡，或开/关，反相电源
is
留低，以保护数据免受噪声的要求。当从返回深
掉电， 430 ns的恢复时间需要允许这些电路电源
了。当RP
变低时，任何当前或未决WSM操作（S ）被终止，
和设备复位。所有状态寄存器返回就绪（所有状态标志
清零） 。返回后，该装置是在读阵列模式。
OUTPUT ENABLE ：
通过输出缓冲器门电路装置的数据时低。该
输出浮动时，三态关闭OE
为高。
写使能：
控制访问CUI ，数据队列寄存器和地址
队列锁存器。 WE为低电平有效，并锁存地址和数据（命令或
阵列）在其上升沿。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，则表示该
WSM正忙于进行操作。当WSM等待新的操作或
擦除暂停或设备处于深度掉电模式RY
/ BY
引脚悬空。
字节使能
：在x8模式BYTE低的地方的设备。所有数据被输入或
在DQ输出
0
- DQ
7
和DQ
8
- DQ
15
浮动。地址
-1
高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式，并关闭了A
-1
输入缓冲器。地址
0
时，则变为最低阶地址。
擦/写电源（ 5.0 V± 0.5 V ） ：
擦除存储器阵列块
或写字/字节到闪存阵列。
器件电源（ 3.3 V± 0.3 V ） ：
不要留下任何电源引脚悬空。
地面所有内部电路：
不要留下任何接地引脚悬空。
无连接：
无内部连接就不行了，铅可被驱动或悬空。
DQ
15
- A
-1
输入
A
0
- A
12
A
13
- A
17
输入
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
DQ
8
- DQ
15
输入/输出
CE
输入
RP
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
漏极开路
产量
字节
输入
V
PP
V
CC
GND
NC
供应
供应
供应
4
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
介绍
夏普的LH28F400SU -NC 4M闪存是一种
革命性的架构使设计
真正的移动，高性能个人计算机和
通信产品。凭借创新的能力，
5 V单电源操作和非常高的读/写
的性能， LH28F400SU - NC-也是理想
设计的嵌入式大容量存储闪存的选择
内存系统。
该LH28F400SU -NC的独立带锁32
对称受阻架构（ 16K每个）扩展
骑自行车，低功耗操作，速度非常快写和读
性能和选择性块锁定提供一种高
灵活的存储器组件适合于蜂窝式电话，
传真机，游戏机，PC ，打印机，手持终端。该
LH28F400SU -NC的单电源操作恩
ABLES存储卡的设计，可以是读/
写在5.0 V系统。其X8 / X16架构允许
的存储器与处理器接口的优化。该
灵活的块锁选项使execut-的捆绑
在居民闪存阵列能够应用软件或
存储卡。夏普的0.45微米制造
ETOX 工艺技术， LH28F400SU -NC是
最具成本效益的，高密度的5.0 V闪存。
命令的超集已被添加到该
基本LH28F008SA命令集以实现更高
写性能，并提供了额外的功能。
这些新的命令和功能包括：
内存块的软件锁定
内存保护置位/复位功能
两个字节的串行写入8位系统
删除所有块解锁
内存写入数据中通常执行
13微秒每字节或内每字20微秒。块擦除
操作擦除的32块之一的通常为0.6
秒，独立于其他块。
LH28F400SU -NC可以删除所有未锁定的块。
其中你要实现它是理想的情况下，
擦除操作最多32次。
只有在x8模式， LH28F400SU -NC启用
其通过三次操作的两个字节的串行写
指令输入。进行内存数据写入
通常在20微秒每两个字节。此功能可以IM-
证明的8位系统的写性能达通常
10微秒每字节。
所有操作都通过写入序列开始
命令发送到设备。状态寄存器（描述于
后面详细）和RY
/ BY
输出引脚提供信息
化上所请求的操作的进度。
同为LH28F008SA ， LH28F400SU -NC
需要在手术前的下一个完成
操作可以要求，也允许暂停
块擦除从任何其他模块读取数据，并
允许恢复擦除操作。
该LH28F400SU -NC提供用户可选的模块
锁保护的代码或数据，如设备驱动程序，
PCMCIA卡信息， ROM的可执行的操作系统或AP-
折叠术代码。每个块都有一个相关的非vola-
瓦锁位，它确定该块的锁定状态。
此外， LH28F400SU - NC-具有软件CON-
受控主写保护电路，防止任何
修改存储器块，其锁定位被置位。
当设备加电或RP
原来高，写
保护设置/确认命令必须被写入。其它 -
明智的，在设备上的所有锁定位仍然被锁定，
无法执行写入到各块和单块
擦除。写保护设置/确认命令必须是
写入到反映实际的锁定状态。然而，当
该设备上电或RP
轮番高，擦除所有非
锁定块可以被使用。如果使用的话，擦除被执行
与反射实际锁定状态，之后，收件
和块擦除都可以使用。
描述
该LH28F400SU -NC是一款高性能的4M
（ 4194304 ）块可擦除的非易失性随机存取
内存作为组织或者256K × 16或512K × 8 。
该LH28F400SU -NC包括32 16K （ 16,384 ）
块。的芯片的存储器映射，如图5所示。
新架构的实施，许多
增强功能，可以提高器件工作
在更大的产品可靠性的特点和结果
和易用性。
其中的的显著增强
LH28F400SU -NC ：
5 V读，写/擦除操作（ 5 V V
CC
, V
PP
)
低功耗性能
提高写入性能
专用块写/擦除保护
命令控制内存保护
置位/复位功能
A命令的用户界面（ CUI）作为系
微处理器或间统接口
微控制器和所述内部存储器的操作。
内部算法自动允许字节写入和
用一个两被执行块擦除操作
写的命令序列，以在CUI中相同的方式
作为LH28F008SA 8M闪存。
5
LH28F400SU-NC
特点
56引脚TSOP
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）
FL灰内存
顶视图
用户可配置的x8或x16操作
5 V写/擦除操作（ 5 V V
PP
)
- 没有要求的DC / DC转换器
写/擦除
NC
NC
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE
RP
NC
NC
V
PP
RY / BY
NC
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
GND
CE
A
0
NC
NC
60 ns最大访问时间
(V
CC
= 5.0 V ± 0.25 V)
80ns的最大访问时间
(V
CC
= 5.0 V ± 0.5 V)
32独立带锁块（ 16K ）
每座100,000次擦写循环
自动化的字节写入/擦除块
- 命令的用户界面
状态寄存器
- RY
/ BY
状态输出
系统性能增强
- 擦除挂起的读
- 两字节写
- 整片擦除
数据保护
- 在硬件擦除/写入锁定
电源转换
- 软件擦除/写锁定
独立带锁的写入/擦除
对每个块（锁座和保护
置位/复位）
5 μA （典型值）I
CC
在CMOS待机
0.2 μA （典型值）深度掉电
0.45微米ETOX 闪存国家的最先进的
技术
28F400SUT-NC60-1
图1. 56引脚TSOP配置
56引脚， 1.2毫米× 14毫米× 20毫米TSOP
（I型）封装
48引脚， 1.2毫米×12平方毫米× 18毫米TSOP
（I型）封装
44引脚， 600万SOP封装
1
LH28F400SU-NC
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
48针TSOP
顶视图
44引脚SOP
V
PP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
顶视图
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
NC
WE
RP
V
PP
NC
RY / BY
NC
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A
16
字节
GND
DQ
15
/A
-1
DQ
7
DQ
14
DQ
6
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
OE
GND
CE
A
0
RP / BY
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
GND
OE
DQ
0
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
2
DQ
10
DQ
3
DQ
11
28F400SUT-NC60-23
图3. 44引脚SOP配置
28F400SUT-NC60-24
图2. 48引脚TSOP配置
2
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
DQ
8
- DQ
15
DQ
0
- DQ
7
产量
卜FF器
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
ID
注册
数据
队列
注册
I / O
逻辑
字节
企业社会责任
产量
多路复用器
注册
ESRS
崔
CE
OE
WE
RP
数据
比较
A
-1,0
- A
17
输入
卜FF器
y解码器
16KB的块0
门控/传感
16KB块30
16KB块31
16KB块1
WSM
RY / BY
地址
队列
锁存器
...
X解码器
...
地址
计数器
...
计划/
抹去
电压
开关
V
PP
V
CC
GND
28F400SUT-NC60-2
图4. LH28F400SU -NC框图
3
LH28F400SU-NC
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
字节选择的地址：
高字节和低字节之间进行选择时，设备处于
x8模式。此地址锁存X8数据写入。不使用在x16模式（即，该
DQ
15
/A
-1
输入缓冲器被关断时，字节为高） 。
WORD -选择地址：
选择一个16K块中的字。这些
地址锁存过程中的数据写入。
BLOCK -选择地址：
选择1的32擦除块。这些地址是
锁定在数据写入，擦除和锁定块操作。
低字节数据总线：
期间，CUI写周期的输入数据和命令。
在适当的阅读模式输出数组，缓冲区，标识或状态的数据。
浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
高字节数据总线：
在x16的数据写入操作的输入数据。输出
阵，缓冲或在适当的阅读模式标识符的数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
DQ
15
/A
-1
是的地址。
芯片使能输入：
激活设备控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 CE
必须为低来选择设备。
RESET / POWER- DOWN ：
随着RP
低时，该装置被复位时，所有目前操作是
中止和设备进入深度掉电模式。当电源
开机后， RP
引脚变为低电平，以返回设备默认设置就能
成形。当发生电源过渡，或开/关，反相电源
is
留低，以保护数据免受噪声的要求。当从返回深
掉电， 430 ns的恢复时间需要允许这些电路电源
了。当RP
变低时，任何当前或未决WSM操作（S ）被终止，
和设备复位。所有状态寄存器返回就绪（所有状态标志
清零） 。返回后，该装置是在读阵列模式。
OUTPUT ENABLE ：
通过输出缓冲器门电路装置的数据时低。该
输出浮动时，三态关闭OE
为高。
写使能：
控制访问CUI ，数据队列寄存器和地址
队列锁存器。 WE为低电平有效，并锁存地址和数据（命令或
阵列）在其上升沿。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，则表示该
WSM正忙于进行操作。当WSM等待新的操作或
擦除暂停或设备处于深度掉电模式RY
/ BY
引脚悬空。
字节使能
：在x8模式BYTE低的地方的设备。所有数据被输入或
在DQ输出
0
- DQ
7
和DQ
8
- DQ
15
浮动。地址
-1
高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式，并关闭了A
-1
输入缓冲器。地址
0
时，则变为最低阶地址。
擦/写电源（ 5.0 V± 0.5 V ） ：
擦除存储器阵列块
或写字/字节到闪存阵列。
器件电源（ 3.3 V± 0.3 V ） ：
不要留下任何电源引脚悬空。
地面所有内部电路：
不要留下任何接地引脚悬空。
无连接：
无内部连接就不行了，铅可被驱动或悬空。
DQ
15
- A
-1
输入
A
0
- A
12
A
13
- A
17
输入
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
DQ
8
- DQ
15
输入/输出
CE
输入
RP
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
漏极开路
产量
字节
输入
V
PP
V
CC
GND
NC
供应
供应
供应
4
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
介绍
夏普的LH28F400SU -NC 4M闪存是一种
革命性的架构使设计
真正的移动，高性能个人计算机和
通信产品。凭借创新的能力，
5 V单电源操作和非常高的读/写
的性能， LH28F400SU - NC-也是理想
设计的嵌入式大容量存储闪存的选择
内存系统。
该LH28F400SU -NC的独立带锁32
对称受阻架构（ 16K每个）扩展
骑自行车，低功耗操作，速度非常快写和读
性能和选择性块锁定提供一种高
灵活的存储器组件适合于蜂窝式电话，
传真机，游戏机，PC ，打印机，手持终端。该
LH28F400SU -NC的单电源操作恩
ABLES存储卡的设计，可以是读/
写在5.0 V系统。其X8 / X16架构允许
的存储器与处理器接口的优化。该
灵活的块锁选项使execut-的捆绑
在居民闪存阵列能够应用软件或
存储卡。夏普的0.45微米制造
ETOX 工艺技术， LH28F400SU -NC是
最具成本效益的，高密度的5.0 V闪存。
命令的超集已被添加到该
基本LH28F008SA命令集以实现更高
写性能，并提供了额外的功能。
这些新的命令和功能包括：
内存块的软件锁定
内存保护置位/复位功能
两个字节的串行写入8位系统
删除所有块解锁
内存写入数据中通常执行
13微秒每字节或内每字20微秒。块擦除
操作擦除的32块之一的通常为0.6
秒，独立于其他块。
LH28F400SU -NC可以删除所有未锁定的块。
其中你要实现它是理想的情况下，
擦除操作最多32次。
只有在x8模式， LH28F400SU -NC启用
其通过三次操作的两个字节的串行写
指令输入。进行内存数据写入
通常在20微秒每两个字节。此功能可以IM-
证明的8位系统的写性能达通常
10微秒每字节。
所有操作都通过写入序列开始
命令发送到设备。状态寄存器（描述于
后面详细）和RY
/ BY
输出引脚提供信息
化上所请求的操作的进度。
同为LH28F008SA ， LH28F400SU -NC
需要在手术前的下一个完成
操作可以要求，也允许暂停
块擦除从任何其他模块读取数据，并
允许恢复擦除操作。
该LH28F400SU -NC提供用户可选的模块
锁保护的代码或数据，如设备驱动程序，
PCMCIA卡信息， ROM的可执行的操作系统或AP-
折叠术代码。每个块都有一个相关的非vola-
瓦锁位，它确定该块的锁定状态。
此外， LH28F400SU - NC-具有软件CON-
受控主写保护电路，防止任何
修改存储器块，其锁定位被置位。
当设备加电或RP
原来高，写
保护设置/确认命令必须被写入。其它 -
明智的，在设备上的所有锁定位仍然被锁定，
无法执行写入到各块和单块
擦除。写保护设置/确认命令必须是
写入到反映实际的锁定状态。然而，当
该设备上电或RP
轮番高，擦除所有非
锁定块可以被使用。如果使用的话，擦除被执行
与反射实际锁定状态，之后，收件
和块擦除都可以使用。
描述
该LH28F400SU -NC是一款高性能的4M
（ 4194304 ）块可擦除的非易失性随机存取
内存作为组织或者256K × 16或512K × 8 。
该LH28F400SU -NC包括32 16K （ 16,384 ）
块。的芯片的存储器映射，如图5所示。
新架构的实施，许多
增强功能，可以提高器件工作
在更大的产品可靠性的特点和结果
和易用性。
其中的的显著增强
LH28F400SU -NC ：
5 V读，写/擦除操作（ 5 V V
CC
, V
PP
)
低功耗性能
提高写入性能
专用块写/擦除保护
命令控制内存保护
置位/复位功能
A命令的用户界面（ CUI）作为系
微处理器或间统接口
微控制器和所述内部存储器的操作。
内部算法自动允许字节写入和
用一个两被执行块擦除操作
写的命令序列，以在CUI中相同的方式
作为LH28F008SA 8M闪存。
5
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