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tially内的一个单一的高压脉冲。这是支持
通过双缓冲写入数据缓冲区方案。字节
不支持的编程。编程应该是
在做删除的行。
页擦除需要将下面的代码序列（ assum-
荷兰国际集团，该序列不会被打断另做
闪存擦除或编程） ：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
检查MSTAT.PGMBUSY未设置。
设置FLCSR.ERASE = 1 。
如果中断被允许，禁止中断。
正确写入键值为PGMKEY 。
在页面内写入到任何有效的位置将被擦除。
如果中断在第3步中被禁用，重新启用中断。
设置FLCSR.ERASE = 0 。
开始
MSTAT.PGMBUSY
=1?
No
是的
在编程时，数据被写入闪速EE-
PROM程序存储器首先写入双缓冲
写的数据的缓冲区。当一个数据块被写入到页
而快闪EEPROM程序存储器处于空闲状态，则写
周期将开始。由于该双缓冲性质
写入数据缓冲器，第二字可以写入到闪存
EEPROM程序存储器。这将接盘FLCSR.PML-
FULL标志指示的缓冲区满了水。当第一
写操作完成时，存储器地址递增，
和第二个字将被写入到该地址，同时
保持高电压脉冲活性;在FLCSR.PMLFULL
标志被清除。另一字然后被写入到缓冲的
呃此编程将重复，直到没有更多的
字进行编程。这使得流水线写入昼夜温差
相同的高电压范围内对同一行同的字
脉搏。如果编程序列超过一排，所述
闪存编程接口会自动启动一个亲
编程脉冲的下一行。该FLCSR.PMLFULL位
也被清零。的最后一个字的时候编程
当前行被完成时，例如整个行的编程
完成并MSTAT.PGMBUSY被清除。这意味着，
程序存储器分离成排的包括透明
ENT给用户，作为过渡是由闪光亲处理
程序存储器接口。图2示出了一个流程图
编程序列。
是的
禁用中断
如果有必要
写PGMKEY
写存储器
重新使能中断
如果有必要
最后一个字？
No
是的
DONE
FLCSR.PMLFULL
=0?
No
图2.编程顺序为
程序存储器
擦除过程
删除一个页面需要以下代码序列：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
验证MSTAT.PGMBUSY位清零。
禁止任何允许的中断。
设置FLCSR.ERASE位为1 。
写正确的密钥值到PGMKEY寄存器。
写入任何有效位置在该页面被删除。
清除FLCSR.ERASE位为0 。
重新启用在步骤2中禁用任何中断。
擦除位回读为1 。
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