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HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS
电气规格
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
V
EC
t
rr
R
θJC
测试条件
I
EC
= 12A
I
EC
= 12A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
IGBT
二极管
注意事项：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图24 。
民
-
-
-
-
-
典型值
2.2
30
18
-
-
最大
-
-
-
0.75
2.0
单位
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
60
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有说明
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
GE
= 15V,
50
40
30
20
10
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V ，L = 200μH
25
50
75
100
125
150
100
200
300
400
500
600
700
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
9
f
最大
，工作频率（千赫）
300
T
C
75
o
C
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 10, T
J
= 125
o
C
300
275
250
I
SC
225
200
175
150
t
SC
125
100
75
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.75
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
10
1
3
10
20
30
10
11
12
13
14
15
50
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2001仙童半导体公司
HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS版本B
I
SC
峰值短路电流（ A）
500
