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HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG12N60A4D,
HGTP12N60A4D,
HGT1S12N60A4DS
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，参见技术简介334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
54
23
96
±20
±30
60A电压为600V
167
1.33
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
A
A
A
V
V
600
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气规格
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C,
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 10,
L = 500μH ，
测试电路（图24）
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
-
-
-
-
-
-
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
2.0
1.6
5.6
-
-
8
78
97
17
8
96
18
55
160
50
17
16
110
70
55
250
175
最大
-
250
2.0
2.7
2.0
-
±250
-
-
96
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
170
95
-
350
285
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V,
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 10,
L = 500μH ，
测试电路（图24）
2001仙童半导体公司
HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS版本B
