TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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2
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
