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MT4C16270
256K ×16的DRAM
笔记
1.所有电压参考V
SS
.
2.该参数进行采样。 V
CC
= 4.75V ; F = 1兆赫。
3. NC引脚被假定为悬空，并且不
测试泄漏。
4. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值与最小周期得到
时间和输出打开。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
6.最小规格仅用于指示
循环时间在该正确的操作，在整个
温度范围（ 0°C
≤
T
A
≤
70C）是有保证的。
7.上电后，需要为100μs的初始暂停
其次是8 RAS ＃刷新周期（ RAS ＃ - 只
或CBR ）器件正常工作之前，是有保证的。
八RAS ＃循环唤醒，应反复
任何时间
t
REF刷新的要求超出。
8. AC特点假设
t
T为2ns的。
9. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平为
测量输入信号的定时。转换时间
V的测量
IH
和V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
).
10.除了满足升学率规范
化，所有的输入信号必须V之间的过境
IH
和
V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
）中的单调方式。
11.如果CAS ＃和RAS ＃ = V
IH
，数据输出为高阻。
12.如果CAS ＃ = V
IL
，数据输出可以包含来自数据
最后一个有效的读周期。
13.测量用相当于一个TTL门的载荷和
50pF的，V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V.
14.假设条件
t
RCD <
t
RCD （MAX）。如果
t
RCD较大
于此所示的最大建议值
表，
t
RAC将通过量增加了
t
RCD
超出显示的值。
15.假设条件
t
RCD
≥
t
RCD （MAX）。
16.如CAS＃为低电平以使RAS＃的下降沿，则Q将为
来自前一个周期保持。要启动一个新的
循环疏通Q缓冲， CAS＃和RAS ＃必须
脉冲高的
t
CP 。
17。
t
不再指定的RCD （ MAX）的限制。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD大于指定的
t
RCD （MAX）中
限制，那么访问时间是由专门的控制
t
CAC [
t
RAC （ MIN ）不再适用。或
没有
t
RCD （ MAX ）的限制，
t
AA（ MIN）
t
RAC
（分钟）和
t
CAC （ MIN）必须始终得到满足。
18。
t
不再指定的RAD （ MAX）的限制。
t
拉德
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RAD大于指定的
t
RAD （MAX）中
限制，那么访问时间是由专门的控制
t
AA [
t
RAC （MIN）和
t
CAC （ MIN ）不再
应用] 。具有或不具有
t
RAD （ MAX ）的限制，
t
AA
（ MIN）
t
RAC （MIN）和
t
CAC （ MIN ）必须始终
会见。
19.无论是
t
RCH或
t
RRH必须满足一个读
周期。
20.
t
关（ MAX ）定义的时间，这时，输出
实现了开路状态;它不是一个
参考V
OH
或V
OL
.
21.
t
WCS ，
t
RWD ，
t
AWD和
t
CWD限制性
在后写入和READ-运行参数
修改 - 写只是周期。如果
t
WCS
≥
t
WCS （ MIN ） ，
该循环是一个早期写入周期和数据
输出将保持在整个开路
整个周期。如果
t
RWD
≥
t
后轮驱动（ MIN）
t
AWD
≥
t
AWD
（分钟）和
t
CWD
≥
t
CWD （MIN），该循环是一个
可读写，数据输出将包含数据
从所选择的小区读取。如果没有上述的
条件被满足， Q（的状态，在存取时间和
直到CAS ＃和RAS ＃或OE ＃回去V
IH
）是
不确定的。保持高电平OE ＃和WE ＃被拉低
经过CAS ＃变低导致后写入（ OE ＃ -
控制）周期。
22.这些参数是参照CAS ＃领先
边缘初期写入周期和WE＃前缘
在后写入或读 - 修改 - 写周期。
23.在读周期，如果OE ＃为低，然后取
HIGH之前CAS ＃变高时， Q变为开放。如果OE ＃
被永久接为低电平，后写入或READ-
修改 - 写操作是不可能的。
24.隐藏刷新，也可以后进行
写周期。在这种情况下， WE＃ =低和OE ＃ =
高。
25.所有其他输入在V
CC
-0.2V.
26.写命令被定义为WE＃变低。
27后写和读 - 修改 - 写周期
必须同时
t
OD和
t
OEH满足（ OE ＃高
写周期），以确保在
输出缓冲器将在写入周期开放。
DQS的提供，如果先前写入的数据
CAS＃仍然很低， OE ＃是采取低背
后
t
OEH满足。
MT4C16270
W06.pm5 - 牧师10/96
10
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1996,
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