飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHT8N06LT
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
第Z / （K / W）
10
0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0.1
T
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.01
1.0E-06
0.0001
T / S
0.01
1
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
sp
)
ID％
归一化电流降额
40
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- SP
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
10
7
6
VGS = 5.0 V
4.6
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
30
4.0
20
3.6
3.2
3.0
2.4
2.6
10
10
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0
0
2
4
6
8
漏 - 源电压， VDS （V ）
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
sp
） ;条件： V
GS
≥
5 V
100
ID / A
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
115
110
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP =
1美国
10us
100美
1毫秒
10ms
105
100
95
90
85
80
4.2
4
4.4
4.6
4.8
5
DC
1
100ms
75
0.1
1
10
100
70
VDS / V
5
10
ID / A
15
20
25
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年1月
4
启1.100
