飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装。该器件具有非常
低通态电阻，并具有
积分齐纳二极管提供ESD
保护。其目的是为在使用中
的DC- DC转换器和一般
用开关应用。
PHT8N06LT
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
马克斯。
55
7.5
1.8
150
80
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
s
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
sp
= 25 C
在PCB图2
T
AMB
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
13
7.5
3.5
2.2
40
8.3
1.8
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1998年1月
1
启1.100
