FDS6990S
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 10A
8
V
DS
= 5V
15V
10V
电容（pF）
2000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
1600
C
国际空间站
1200
6
4
800
C
OSS
400
C
RSS
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
S
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
100
s
10
1ms
10ms
100ms
1s
1
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
o
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θJA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
40
30
10s
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 135 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6990S版本B （ W）
