FDS6990S
2001年5月
FDS6990S
双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6990S是用来取代双SO- 8
MOSFET和两个肖特基二极管同步
DC：直流电源。该30V MOSFET设计
以最大化功率转换效率，提供了一个
低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。每个MOSFET
包括使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDS6990S作为一个同步的低压侧开关
整流器是类似于FDS6990A的性能
与肖特基二极管并联。
特点
7.5A ， 30V。
R
DS （ ON）
= 22毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 30毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基二极管
低栅极电荷（ 11 NC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D2
D2
D
D
D1
D1
D
5
Q1
4
3
2
Q2
6
7
G1
SO-8
销1
SO-8
S1
G
G2
S
S2
S
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
1.6
1
0.9
-55到+150
°C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990S
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6990S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6990S版本B （ W）
