FDS6990S
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大
单位
V
开关特性
23
500
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
10 V，I
D
= 7.5 A
10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
=125°C
4.5 V，I
D
= 6.5 A
10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 10 A
1
2.2
–6
17.5
27
24
3
V
毫伏/°C的
22
35
30
m
I
D（上）
g
FS
20
22
A
S
V
DS
= 15 V,
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1233
344
106
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
8
5
25
11
16
10
40
20
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 10 A,
11
5
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.9 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 10A
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
2.9
（注2 ）
A
V
nS
nC
0.5
17
0.7
（注3）
12.5
注意事项：
1.
R
θJA
是结到壳体和壳体的总和-to -环境，其中所述壳体热参考被定义为在焊料安装表面热阻
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6990S版本B （ W）
