FDS6990A
2003年6月
FDS6990A
双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
7.5 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 18毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 23毫欧@ V
GS
= 4.5 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S
S2
S
S
G1
S1
G
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990A
设备
FDS6990A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6990A版本D（ W）
