FDS6990A
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
2000
I
D
= 7.5A
V
DS
= 10V
15V
1600
20V
电容（pF）
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
8
6
1200
C
国际空间站
800
4
C
OSS
400
2
C
RSS
0
0
5
10
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
20
25
0
0
5
10
15
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
50
图8.电容特性。
100s
40
I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100ms
1s
单脉冲
R
θJA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
V
GS
= 10.0V
单脉冲
R
θJA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 135℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6990A版本D（ W）
