DPAD系列
线性集成系统
特点
单片双
PICO安培二极管
直接替代SILICONIX DPAD系列
高的分离
20fA
电容匹配极佳
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（ DPAD ）
最大电流
正向电流（ DPAD ）
50mA
500mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
K1
DPAD
TO-72
底部视图
A1
3
5
DPAD1
TO-78
底部视图
C
A1
4
3
5
C
R
≤
0.2pF
A2
K2
1
7
K2
K1
1
7
A2
SSTDPAD
SOIC
K1
K1
A1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
K2
K2
A2
NC
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
R
V
F
|C
R1
-C
R2
|
特征
反向击穿
电压
正向电压
差动电容
(C
R
)
总的反向电容
DPAD1
所有其他
DPAD1
C
RSS
DPAD2,5,10,20,50,100
SSTDPAD5,50,100
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
(SST)DPAD1
(SST)DPAD2
(SST)DPAD5
I
R
最大反向
2
漏电流
(SST)DPAD10
(SST)DPAD20
(SST)DPAD50
(SST)DPAD100
DPAD
2
-1
-2
-5
-10
-20
-50
-100
-50
-100
-5
pA
V
R
= -20V
SSTDPAD
2
单位
条件
DPAD1
DPAD2,5,10,20,50,100
SSTDPAD5,50,100
民
-45
-45
-30
0.8
1.5
0.2
0.5
0.8
2.0
4.0
pF
V
R
= -5V,
f
= 1MHz的
V
I
R
= -1A
I
F
= 1毫安
V
R1
= V
R2
= -5V,
f
= 1MHz的
典型值
最大单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
