DPAD系列

线性集成系统

特点

单片双

PICO安培二极管

直接替代SILICONIX DPAD系列

高的分离

20fA

电容匹配极佳

绝对最大额定值

1

@ 25 ° C（除非另有说明）

最高温度

储存温度

工作结温

最大功率耗散

连续功率耗散（ DPAD ）

最大电流

正向电流（ DPAD ）

50mA

500mW

-65至+150°C

-55至+135 ℃，

K1

DPAD

TO-72

底部视图

A1

3

5

DPAD1

TO-78

底部视图

C

A1

4

3

5

C

R

≤

0.2pF

A2

K2

1

7

K2

K1

1

7

A2

SSTDPAD

SOIC

K1

K1

A1

NC

1

2

3

4

8

7

6

5

K2

K2

A2

NC

常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）

符号

BV

R

V

F

|C

R1

-C

R2

|

特征

反向击穿

电压

正向电压

差动电容

(C

R

)

总的反向电容

DPAD1

所有其他

DPAD1

C

RSS

DPAD2,5,10,20,50,100

SSTDPAD5,50,100

特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）

符号

特征

(SST)DPAD1

(SST)DPAD2

(SST)DPAD5

I

R

最大反向

2

漏电流

(SST)DPAD10

(SST)DPAD20

(SST)DPAD50

(SST)DPAD100

DPAD

2

-1

-2

-5

-10

-20

-50

-100

-50

-100

-5

pA

V

R

= -20V

SSTDPAD

2

单位

条件

DPAD1

DPAD2,5,10,20,50,100

SSTDPAD5,50,100

民

-45

-45

-30

0.8

1.5

0.2

0.5

0.8

2.0

4.0

pF

V

R

= -5V,

f

= 1MHz的

V

I

R

= -1A

I

F

= 1毫安

V

R1

= V

R2

= -5V,

f

= 1MHz的

典型值

最大单位

条件

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

图1.运算放大器保护

输入差分电压限制在0.8V （典型值）由DPADs

1

和D

2

。常见

模输入电压限制的DPADs

3

和D

4

至±15V 。

图2.采样保持电路

典型的采样保持电路与剪裁。 DPAD二极管降低失调

电压从JFET开关栅极电容供电。

图1

DPAD10

D1

D3

D2

D4

-

OP-27

+

图2

+V

DPAD1

D1

-V

D2

2N4117A

2N4393

C

R

V

OUT

+V

e

in

+15V -15V

控制

信号

TO-72

四个主要

0.195 DIA 。

0.175

0.030

马克斯。

0.230

DIA 。

0.209

0.150

0.115

TO-78

0.305

0.335

0.335

0.370

马克斯。

0.040 0.165

0.185

MIN 。 0.500

座位

飞机

0.200

0.100

3 4

5

7

SOIC

0.014

0.018

1

2

0.021

3

4

0.150

0.157

8

7

6

5

0.050

0.189

0.196

0.016

0.019

DIM 。一

0.016

0.021

DIM 。 B

0.029

0.045

1

4引线

0.019 DIA 。

0.016

0.100

0.500 MIN 。

0.0040

0.0098

0.2284

0.2440

尺寸

英寸

0.050

2

1

3

4

0.0075

0.0098

45°

0.046

0.036

45°

0.100

0.048

0.028

0.028

0.034

1.

2.

绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。

该DPAD型数字表示在微微安培的最大反向电流值。与我的设备

R

值中间的那些

显示可根据要求提供。

提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其

使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或

否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

DPAD系列

线性集成系统

特点

单片双

PICO安培二极管

直接替代SILICONIX DPAD系列

高的分离

20fA

电容匹配极佳

绝对最大额定值

1

@ 25 ° C（除非另有说明）

最高温度

储存温度

工作结温

最大功率耗散

连续功率耗散（ DPAD ）

最大电流

正向电流（ DPAD ）

50mA

500mW

-65至+150°C

-55至+135 ℃，

K1

DPAD

TO-72

底部视图

A1

3

5

DPAD1

TO-78

底部视图

C

A1

4

3

5

C

R

≤

0.2pF

A2

K2

1

7

K2

K1

1

7

A2

SSTDPAD

SOIC

K1

K1

A1

NC

1

2

3

4

8

7

6

5

K2

K2

A2

NC

常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）

符号

BV

R

V

F

|C

R1

-C

R2

|

特征

反向击穿

电压

正向电压

差动电容

(C

R

)

总的反向电容

DPAD1

所有其他

DPAD1

C

RSS

DPAD2,5,10,20,50,100

SSTDPAD5,50,100

特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）

符号

特征

(SST)DPAD1

(SST)DPAD2

(SST)DPAD5

I

R

最大反向

2

漏电流

(SST)DPAD10

(SST)DPAD20

(SST)DPAD50

(SST)DPAD100

DPAD

2

-1

-2

-5

-10

-20

-50

-100

-50

-100

-5

pA

V

R

= -20V

SSTDPAD

2

单位

条件

DPAD1

DPAD2,5,10,20,50,100

SSTDPAD5,50,100

民

-45

-45

-30

0.8

1.5

0.2

0.5

0.8

2.0

4.0

pF

V

R

= -5V,

f

= 1MHz的

V

I

R

= -1A

I

F

= 1毫安

V

R1

= V

R2

= -5V,

f

= 1MHz的

典型值

最大单位

条件

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

图1.运算放大器保护

输入差分电压限制在0.8V （典型值）由DPADs

1

和D

2

。常见

模输入电压限制的DPADs

3

和D

4

至±15V 。

图2.采样保持电路

典型的采样保持电路与剪裁。 DPAD二极管降低失调

电压从JFET开关栅极电容供电。

图1

DPAD10

D1

D3

D2

D4

-

OP-27

+

图2

+V

DPAD1

D1

-V

D2

2N4117A

2N4393

C

R

V

OUT

+V

e

in

+15V -15V

控制

信号

TO-72

四个主要

0.195 DIA 。

0.175

0.030

马克斯。

0.230

DIA 。

0.209

0.150

0.115

TO-78

0.305

0.335

0.335

0.370

马克斯。

0.040 0.165

0.185

MIN 。 0.500

座位

飞机

0.200

0.100

3 4

5

7

SOIC

0.014

0.018

1

2

0.021

3

4

0.150

0.157

8

7

6

5

0.050

0.189

0.196

0.016

0.019

DIM 。一

0.016

0.021

DIM 。 B

0.029

0.045

1

4引线

0.019 DIA 。

0.016

0.100

0.500 MIN 。

0.0040

0.0098

0.2284

0.2440

尺寸

英寸

0.050

2

1

3

4

0.0075

0.0098

45°

0.046

0.036

45°

0.100

0.048

0.028

0.028

0.034

1.

2.

绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。

该DPAD型数字表示在微微安培的最大反向电流值。与我的设备

R

值中间的那些

显示可根据要求提供。

提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其

使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或

否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

双微微安培二极管

公司

DPAD1 / DPAD2 / DPAD5 / DPAD10 / DPAD20 / DPAD50 / DPAD100

SSTDPAD5 / SSTDPAD10 / SSTDPAD20 / SSTDPAD50 / SSTDPAD100

特点

高分断隔离。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 pA的最大DPAD1

二极管之间的隔离。 。 。 。 。 。典型20

f

A

ExcellentCapacitance

MATCHED

运算放大器保护器件

二极管的开关

高阻抗保护

描述

Calogic的超低漏电双微微安培二极管出执行

常规二极管的应用场合的反向电流

（泄漏）是至关重要的，必须保持在最低限度。该

器件具有非常低的电容，并且也快速

切换。装在一个紧凑的双密封封装和

塑料表面贴装的SO- 8这款产品也可用于

芯片的形式为混合用途。

订购信息

部分

DPAD1

DPAD2/50

SSTDPAD5/100

XDPAD5/100

包

温度范围

-55到+150

o

C

-55到+150

o

C

-55到+150

o

C

-55到+150

o

C

密封的TO- 78

密封TO- 71

塑料SO- 8

在运营商排序芯片

应用

引脚配置

TO-71

（修改）

（针脚2和

6删除）

TO-78

（修改）

（ DPAD1 ONLY）

N / C

A2

C2

C2

C1

C1

A1

N / C

SO-8

A

1

C

2

A

2

C

1

C

2

3

2

A

1

1

A

2

4

C

C

2

A

1

A

2

C

1

例

C

2 3

A

1

C

2

4

A

2

5

1

C

1

CJ1 ， CJ2 ， CJ4

C

1

底部视图

（候补）

底部视图

原理图

A

C

C

A

DPAD1 / DPAD2 / DPAD5 / DPAD10 / DPAD20 / DPAD50 / DPAD100

SSTDPAD5 / SSTDPAD10 / SSTDPAD20 / SSTDPAD50 / SSTDPAD100

公司

绝对最大额定值（ 25

o

C)

正向栅电流，互不相让。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

器件总功耗@ T

A

= 25

o

C

减免4.0毫瓦/

o

C至125

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+125

o

C

焊接温度（ 16"分之1案件从10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

电气特性

(25

o

C除非另有说明）

符号

STATIC

-1

-2

-5

I

R

反向电流

-10

-20

-50

-100

-45

BV

R

V

F

动态

0.8

C

R

电容

2.0

| CR1 - CR2 |差分电容

0.1

0.2

pF

V

R1

= V

R2

= -5 V ， F = 1兆赫

pF

V

R

= -5 V ， F = 1兆赫

DPAD10 ， 20 ，50，100

DPAD1 ，2，5 ，10，20 ，50，100

DPAD1 ， 2,5

击穿电压（反向）

-35

正向电压降

0.8

1.5

V

-120

I

R

= -1A

DPAD10 ， 20 ，50，100

I

F

= 5毫安

DPAD1 ，2，5 ，10，20 ，50，100

pA

VR = -20 V

DPAD1

DPAD2

DPAD5

DPAD10

DPAD20

DPAD50

DPAD100

DPAD1 ， 2,5

特征

民

典型值

最大

单位

测试条件

DPAD10

_

D

1

D

3

+15V

D

2

+

D

4

-15V

e

in

I

R

＆ LT ; 1帕

DPAD1

+V

-V

DPAD1

+

1

J110

C

控制信号

J210

V

OUT

应用

运算放大器的保护。输入差分电压

通过DPADS 仅限于0.8 V（典型值）

1

和D

2

共模

输入电压受限于DPADS

3

和D

4

to

±15V.

典型的采样和保持电路，限幅， DPAD二极管

减少偏移电压电容性地从FET开关送入

门。

SSTDPAD5

低漏

PICO - AMP双二极管

线性系统替换停产Siliconix公司SSTDPAD5

该SSTDPAD5是低漏电单片双微微安培二极管

该SSTDPAD5极低的泄漏单片双

二极管提供了优越的替代常规

二极管技术时，反向电流（漏）必须的

被最小化。除了单块双

施工允许每个优秀的电容匹配

二极管。该SSTDPAD5设有的泄漏电流-5

pA的并且很适合用在应用中，如

对运算放大器的输入保护。

特点是什么？

DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXSSTDPAD5

高的分离

电容匹配极佳

超低漏

反向击穿电压

REVERSE电容

绝对最大额定值

@25°C(unlessotherwisenoted)

最高温度

储存温度

工作结温

最大功率耗散

连续功率耗散

最大电流

ForwardCurrent(Note1)

20fA

C

R

≤0.5pF

≤5pA

BV

R

≥‐30V

C

RSS

≤4.0pF

SSTDPAD5优点：

可以忽略不计电路漏电贡献

电路“透明”除了分流

高频尖峰

操作简单

‐65°Cto+150°C

‐55°Cto+135°C

500mW

50mA

SSTDPAD5应用：

运算放大器的输入保护

多路复用过压保护

SSTDPAD5ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)

SYMBOL

特色」

分钟。

（典型值） *

BV

R

反向击穿电压

‐45

‐‐

V

F

正向电压

‐‐

0.8

C

RSS

总的反向电容

‐‐

‐‐

|C

R1

‐C

R2

|

差动电容（ ΔC

R

)

‐‐

‐‐

I

R

最大反向漏电流

‐‐

‐‐

点击购买

马克斯。

‐‐

1.5

2.0

0.5

‐100

单位“

V

V

pF

pF

pA

SOIC （顶视图）

条件“

I

R

=‐1A

I

F

=1mA

V

R

=‐5V,f=1MHz

V

R1

=V

R2

=‐5V,f=1MHz

V

R

=‐20V

注意事项：

1.绝对最大额定值的限制值，超过该SSTDPAD5适用性可能受到损害。

可用的软件包：

SSTDPAD5采用SOIC

SSTDPAD5可作为裸模

请联系Micross全包和模具尺寸

Micross组件欧洲

电话：+44 1603 788967

电子邮件：

chipcomponents@micross.com

网址：

http://www.micross.com/distribution.com

提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或

第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。

Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：

baredie@micross.com

网址：

www.micross.com/distribution.aspx