位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第955页 > HYB25T512160TC-8 > HYB25T512160TC-8 PDF资料 > HYB25T512160TC-8 PDF资料1第26页
DRAM组件
命名TwinFlash
牌
HYC
3
N
256
0
NO
5
0
AA
1
A
A
（例）
包
A
B
C
D
A
B
1
2
AA
AB
0
1
0
1
2
3
4
5
6
7
NO
IF
0
1
64
128
256
512
01G
N
3
1
C
=
=
=
=
=
=
=
=
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=
SD （商业）
MMC （商业）
miniSD卡（商业）
迷你MMC （商业）
170 nm工艺技术
110纳米工艺技术
第一代
第二代
第一固件
第二固件
没有内容
内容1转。标签
没有标签
16兆
32 MB
64 MB
128 MB
256 MB
512 MB
1 GB
没有标签
IFX标签
标准
未来使用
64 MB
128 MB
256 MB
512 MB
1024 MB
TWIN -NAND
3.3 V核心
1.8 V核心（双电压）
flash卡
DRAM模块
专业的DRAM
内存版本
控制器生成
网络固件
内容
标签尺寸
标签的快捷键
速度
内存容量
技术
电源电压
TYPE
TwinFlash
牌
卡
多
媒体
牌
密度
64 MB
128 MB
256 MB
2.7 V – 3.6 V
工作电压
销售说明
HYC3N0640NO00AA1AB
HYC3N1280NO00AA1AB
HYC3N2560NO00AA1AB
根据要求
订购代码
FL灰
26
SD
牌
64 MB
128 MB
256 MB
2.7 V – 3.6 V
HYC3N0640NO00AA1AA
HYC3N1280NO00AA1AA
HYC3N2560NO00AA1AA
根据要求
