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DRAM组件
命名图形RAM和移动-RAM
HYB
25
D
128
32
3
A
C
L
- 3.3
（例）
速度
2.2
2.5
2.8
3.0
3.3
3.6
4.5
5
7.5
8
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
450兆赫
400兆赫
350兆赫
333兆赫
300兆赫
275兆赫
222兆赫
200兆赫
133兆赫
125兆赫
DRAM模块
专业的DRAM
FL灰
22
掉电电流
包
低掉电电流
C
T
E
F
=
=
=
=
FBGA
TSOP
TSOP无铅和无卤素
FBGA无铅和无卤素
产品版本
接口
裸片修订
0
3
5
80
16
32
128
256
512
D
L
18
25
39
HYB
HYE
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
LV- TTL接口
匹配阻抗2.5 V VDDQ
匹配阻抗1.8 V VDDQ
x8
x 16
x 32
128 MB
256 MB
512 MB
DDR SDRAM或图形RAM
低功耗SDRAM （手机内存）
1.8 VVDD
VDD 2.5 / 1.8 VVDD或2.5 VDDQ
3.3 VDD / VDDQ 3.3
标准前缀为内存组件
前缀扩展温度版本
(- 25 °C – + 85 °C)
组织
存储密度
内存类型
电源电压
PREFIX
