SGF80N60UF
4500
4000
3500
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
资本投资者入境计划
500
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
吨
电容[ pF的]
2500
2000
1500
卓越中心
1000
500
0
1
10
30
CRES
开关时间[ NS ]
3000
Tr
100
20
1
10
70
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
2000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
5000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
花花公子
开关时间[ NS ]
开关损耗[ UJ ]
EOFF
宙
1000
Tf
EOFF
100
Tf
20
1
10
80
100
1
10
80
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
500
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 5
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
2000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 5
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
Tf
花花公子
100
Tf
Tr
1000
开关时间[ NS ]
吨
10
10
20
30
40
50
60
70
80
开关时间[ NS ]
20
10
20
30
40
50
60
70
80
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGF80N60UF版本A
