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SGF80N60UF

2001年10月

IGBT

SGF80N60UF

超快速IGBT

概述

飞兆半导体的绝缘栅双极晶体管（ IGBT ） UF

系列提供低传导损耗和开关损耗。

UF系列是专为应用，如电机

控制和通用变频器在高速开关

是必须的。

特点

高开关速度

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 2.1 V @ I

C

= 40A

高输入阻抗

应用

AC &直流马达控制，通用变频器，机器人，伺服控制

C

G

TO-3PF

TO-3PF

克碳ê

E

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CM （1）

P

D

T

J

T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

描述

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电流

集电极电流脉冲

最大功率耗散

最大功率耗散

工作结温

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“从案例5秒

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

SGF80N60UF

600

±

20

80

40

220

110

45

-55到+150

-55到+150

300

单位

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

°C

注意事项：

（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值。

--

--

马克斯。

1.1

40

单位

° C / W

° C / W

2001仙童半导体公司

SGF80N60UF版本A

SGF80N60UF

IGBT的电气特性

T

符号

参数

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性

BV

CES

B

VCES

/

T

J

I

CES

I

GES

集电极 - 发射极击穿电压

温度COEFF 。击穿

电压

集电极截止电流

G- ê漏电流

V

GE

= 0V时，我

C

= 250uA

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

V

GE

= V

GES

, V

CE

= 0V

600

--

--

--

--

0.6

--

--

--

--

250

± 100

V

V /°C的

uA

nA

基本特征

V

GE （日）

V

CE （ SAT ）

G- ê阈值电压

集电极到发射极

饱和电压

I

C

= 40毫安，V

CE

= V

GE

I

C

= 40A

,

V

GE

= 15V

I

C

= 80A

,

V

GE

= 15V

3.5

--

--

4.5

2.1

2.6

6.5

2.6

--

V

V

V

动态特性

C

IES

C

OES

C

水库

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

CE

= 30V

,

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

--

--

--

2790

350

100

--

--

--

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

Q

g

Q

ge

Q

gc

L

e

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

内置发射器电感

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

23

50

90

50

570

590

1160

30

55

150

160

630

940

1580

175

25

60

14

--

--

130

150

--

--

1500

--

--

200

250

--

--

2000

250

40

90

--

ns

ns

ns

ns

uJ

uJ

uJ

ns

ns

ns

ns

uJ

uJ

uJ

nC

nC

nC

nH

V

CC

= 300 V，I

C

= 40A,

R

G

= 5, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 25°C

V

CC

= 300 V，I

C

= 40A,

R

G

= 5, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 125°C

V

CE

= 300 V，I

C

= 40A,

V

GE

= 15V

测量5毫米从PKG

2001仙童半导体公司

SGF80N60UF版本A

SGF80N60UF

250

共发射极

T

C

= 25℃

200

20V

15V

12V

120

共发射极

V

GE

= 15V

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

100

集电极电流，I

C

[A]

集电极电流，I

C

[A]

8

80

150

V

GE

= 10V

60

100

40

50

20

0

0

2

4

6

0

0.5

1

10

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

图1.典型的输出特性

图2.典型的饱和电压

特征

4

50

共发射极

V

GE

= 15V

V

CC

= 300V

负载电流：方波的峰值

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

40

3

80A

负载电流[ A]

30

2

40A

20

I

C

= 20A

1

10

占空比： 50 ％

T

C

= 100

℃

功耗= 26W

0.1

1

10

100

1000

0

0

30

60

90

120

150

0

外壳温度，T

C

[

℃

]

频率[千赫]

图3.饱和电压与案例

温度变电流等级

图4.负载电流与频率的关系

20

共发射极

T

C

= 25℃

20

共发射极

T

C

= 125℃

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

16

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

16

12

12

8

8

4

40A

I

C

= 20A

0

0

4

8

80A

80A

4

I

C

= 20A

0

0

4

8

12

16

20

40A

12

16

20

门 - 发射极电压，V

GE

[V]

门 - 发射极电压，V

GE

[V]

图5.饱和电压与V

GE

2001仙童半导体公司

图6.饱和电压与V

GE

SGF80N60UF版本A

SGF80N60UF

4500

4000

3500

共发射极

V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

T

C

= 25℃

资本投资者入境计划

500

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 40A

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

吨

电容[ pF的]

2500

2000

1500

卓越中心

1000

500

0

1

10

30

CRES

开关时间[ NS ]

3000

Tr

100

20

1

10

70

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

栅极电阻，R

G

[

]

图7.电容特性

图8.打开，在主场迎战特点

栅极电阻

2000

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 40A

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

5000

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 40A

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

1000

花花公子

开关时间[ NS ]

开关损耗[ UJ ]

EOFF

宙

1000

Tf

EOFF

100

Tf

20

1

10

80

100

1

10

80

栅极电阻，R

G

[

]

栅极电阻，R

G

[

]

图9.关断特性对比

栅极电阻

图10.开关损耗与栅极电阻

500

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

R

G

= 5

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

100

2000

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

R

G

= 5

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

花花公子

Tf

花花公子

100

Tf

Tr

1000

开关时间[ NS ]

吨

10

10

20

30

40

50

60

70

80

开关时间[ NS ]

20

10

20

30

40

50

60

70

80

集电极电流，I

C

[A]

集电极电流，I

C

[A]

图11.导通特性对比

集电极电流

2001仙童半导体公司

图12.关断特性对比

集电极电流

SGF80N60UF版本A

SGF80N60UF

3000

15

共发射极

R

L

= 7.5

T

C

= 25℃

门 - 发射极电压，V

GE

[ V ]

1000

12

开关损耗[ UJ ]

9

300 V

6

V

CC

= 100 V

3

200 V

100

EOFF

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

R

G

= 5

T

C

= 25℃

T

C

= 125℃

10

20

30

40

50

60

70

80

宙

10

0

0

0

30

60

90

120

150

180

集电极电流，I

C

[A]

栅极电荷，Q

g

[ NC ]

图13.开关损耗与集电极电流

图14.栅极电荷特性

500

I

C

MAX 。（脉冲）

100

500

集电极电流，I

C

[A]

100us

1

10

直流操作

单非重复性

脉冲吨

C

= 25℃

曲线必须降低

线性增长

温度

0.3

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

[A]

I

C

MAX 。（连续）

50us

100

10

1

安全工作区

V

GE

= 20V ，T

C

=100 C

1

1

10

100

1000

o

0.1

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

图15. SOA特征

图16.打开，关闭的SOA特性

10

热响应[ Zthjc ]

1

0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

PDM

0.02

t1

0.01

t2

0.01

单脉冲

1E-5

1E-4

1E-3

0.01

0.1

占空比D = T1 / T2

山顶TJ = PDM

×

Zthjc + T

C

1

10

矩形脉冲持续时间（秒）

IGBT图17.瞬态热阻抗

2001仙童半导体公司

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