飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
1
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
D
tp
D = TP / T
T
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
VGS = 10V
35
30
25
20
15
10
5
4V
4.4 V
4.2 V
1.8
2
5V
4.8 V
4.6 V
8V
6V
TJ = 25℃
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
1000
0.16
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP = 10我们
100美
10
特区
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.04
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.2 V
4V
4.4 V
4.6 V
4.8 V
TJ = 25℃
5V
8V
0.02
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电流ID （ A）
14
16
18
6V
VGS = 10V
20
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.000
