飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
非重复性雪崩
当前
条件
非钳位感性负载时，我
AS
= 40 A;
t
p
= 100
s;
T
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;参考
图： 15
分钟。
-
马克斯。
260
单位
mJ
I
AS
-
47
A
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
SOT78封装，在自由空气
SOT429封装，在自由空气
SOT404封装，PCB安装，最小值
脚印
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
60
45
50
1
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
阻力
门源漏电流V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V;
当前
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
100
89
2
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
3
-
-
22
-
0.02
0.05
-
61
13
25
18
72
69
58
3.5
4.5
7.5
2600
340
195
-
-
4
-
6
25
68
100
10
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
I
D
= 45 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 50 V ;
D
= 1.8
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
阻性负载
测量标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78和SOT429封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
2
启1.000
