位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第203页 > HYS72D64020GU-8-B > HYS72D64020GU-8-B PDF资料 > HYS72D64020GU-8-B PDF资料1第11页

HYS[64/72]D[16x01/32x00/64x20][G/E]U-[5/6/7/8]-B
无缓冲DDR SDRAM模块
引脚配置
S0
DQS1
DM1/DQS10
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
S
DQS5
DM5/DQS14
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
S
D0
D2
DQS0
DM0/DQS9
DQS4
DM4/DQS13
DQS3
DM3/DQS12
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS2
DM2/DQS11
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
S
DQS7
DM7/DQS16
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
D1
DQS6
DM6/DQS15
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
S
D3
串行PD
SCL
V
DD
SPD
V
DD
/V
DDQ
V
REF
V
SS
V
DDID
SPD
D0 - D3
D0 - D3
D0 - D3
表带:见注4
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
SDA
*时钟布线
时钟
SDRAM的
输入
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
NC
2 SDRAM的
2 SDRAM的
*每个时钟加载线
表/接线图
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS
CAS
CKE0
WE
BA0 - BA1 : SDRAM的D0 - D3
A0 - A13 : SDRAM的D0 - D3
RAS : SDRAM的D0 - D3
CAS : SDRAM的D0 - D3
CKE : SDRAM的D0 - D3
WE: SDRAM的D0 - D3
注意事项:
1. DQ到I / O接线如图推荐,但可能
被改变。
2. DQ / DQS / DM / CKE / S的关系必须是main-
tained如图所示。
3. DQ , DQS , DM / DQS电阻: 22欧姆± 5 % 。
4. V
DDID
表带连接
(对于存储设备V
DD
, V
DDQ
):
表带出来(开) : V
DD
= V
DDQ
表带(V
SS
): V
DD
≠
V
DDQ
5. BAX ,斧, RAS , CAS,WE电阻: 7.5欧姆± 5 %
图1
框图 - 一个等级16M
×
64 DDR SDRAM DIMM HYS64D16301GU使用
×
16
有组织的SDRAM
数据表
11
V1.1, 2003-07