飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
150
RDS （ ON） /毫欧
VIS / V =
4
BUK104-50L/S
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
5
100
6
7
10
50
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
ID / A
12
14
16
18
20
0
-60 -40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
图10 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
IS
; t
p
= 250
s
ID / A
BUK104-50L/S
图13 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON）
25 C = F（T
j
); I
D
= 7.5 A; V
IS
≥
5 V
TJ （ TO ） / C
BUK104-50L/S
50
230
220
40
210
200
190
BUK104-50S
30
20
180
170
10
160
BUK104-50L
0
0
2
4
6
VIS / V
8
10
12
150
0
2
4
6
VPS / V
8
10
图11 。典型的传输特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
IS
） ;条件： V
DS
= 10 V ;牛逼
p
= 250
s
GFS / S
BUK104-50L/S
图14 。典型的过温保护阈值
T
J（下TO ）
= F（V
PS
） ;条件： V
DS
> 0.1 V
PDSM ％
120
100
80
60
40
20
0
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
ID / A
30
40
50
-60
-40
-20
0
20
40
60
TMB / C
80
100
120
140
图12 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 10 V ;牛逼
p
= 250
s
图15 。正常化限制过载耗散。
P
帝斯曼
% =100
P
帝斯曼
/P
帝斯曼
（ 25℃） = F （T
mb
)
1993年1月
8
启1.200
