飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第Z / （K / W）
BUK104-50L/S
D=
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.01
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图4 。正常化限制功耗。
P
D
% = 100
P
D
/P
D
（ 25℃） = F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
50
图7 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
BUK104-50L/S
VIS / V =
40
10
9
30
8
7
6
20
5
4
3
2
0
0
4
8
12
16
VDS / V
20
24
28
32
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
图5 。正常化的连续漏极电流。
I
D
% = 100
I
D
/I
D
（ 25℃） = F （T
mb
） ;条件： V
IS
= 5 V
ID & IDM / A
D
=V
S / I
D
图8 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
ID = F（V
DS
） ;参数V
IS
; t
p
= 250
s &吨
p
＆ LT ;吨
SC
ID / A
VIS / V =
10
BUK104-50L/S
7
6
5
15
100
BUK104-50L/S
TP =
10我们
100美
20
RD
S
N)
(O
10
4
1毫秒
DC
1
10毫秒
100毫秒
10
5
3
过载保护特性未
0.1
1
10
VDS / V
100
0
0
1
VDS / V
2
图6 。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图9 。典型通态特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
IS
; t
p
= 250
s
1993年1月
7
启1.200
