飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
动态特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
-V
LG
参数
感性负载关断
负负载电压
1
负载短路保护
2
响应时间
负载电流之前，关断
过载保护
3
负载电流限制
条件
V
IG
= 0 V ;我
L
= 2 A;牛逼
p
= 300
s
V
IG
= 5 V ;
L
≤
10 m
-
牛逼牛逼<
SC
V
BL
= 9 V ;牛逼
p
= 300
s
-
75
17
分钟。
15
BUK203-50Y
典型值。
20
马克斯。
25
单位
V
s
A
t
SC
I
L
-
-
I
L（ LIM ）
12
15
22
A
开关特性
T
mb
= 25 ° C，V
BG
= 13 V ，阻性负载R
L
= 13
.
符号
t
D ON
dv / dt的
on
t
on
参数
导通时
延迟时间
率负载电压的上升
总开关时间
关断期间
延迟时间
房价下跌负载电压的
总开关时间
条件
到V
IG
= 5 V
到10 ％的V
L
-
-
-
16
1.3
40
-
3
-
s
V / μs的
s
s
V / μs的
s
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
到90 ％的V
L
到V
IG
= 0 V
到90 ％的V
L
到10 ％的V
L
t
D OFF
dv / dt的
关闭
t
关闭
-
-
-
20
1.6
35
-
3
-
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1兆赫; V
IG
= 0 V
符号
C
ig
C
bl
C
sg
参数
输入电容
输出电容
状态电容
条件
V
BG
= 13 V
V
BL
= V
BG
= 13 V
V
SG
= 5 V
分钟。
-
-
-
典型值。
15
120
11
马克斯。
20
170
15
单位
pF
pF
pF
1
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。这个负电压
由设备夹住。
2
负载电流为自限性过程中，响应时间为短路负载保护。响应时间是指从输入变为测量
高。
3
如果负载电阻是低的，但不是完整的短路，使得导通状态的电压保持低于V
BL （ TO ）
，该装置保持在
限流，直至过热保护动作。
1995年4月
5
启1.100
