飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
BG
V
BL
-V
LG
参数
钳位电压
电池地面
电池装入
负负载到地
电源电压
工作范围
1
电流
I
L
I
B
I
G
I
L
R
ON
R
ON
R
G
额定负载电流
2
静态电流
3
工作电流
4
断态电流负载
5
抗性
导通状态电阻
6
导通状态电阻
内部接地电阻
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 1毫安
电池地面
-
V
BG
= 13 V
V
BL
= 0.5 V ;牛逼
mb
= 85 C
V
IG
= 0 V; V
LG
= 0 V
V
IG
= 5 V ;我
L
= 0 A
V
BL
= 13 V; V
IG
= 0 V
V
BG
= 13 V ;我
L
= 2 A;牛逼
p
= 300
s
V
BG
= 5 V ;我
L
= 0.5 A;牛逼
p
= 300
s
I
G
= 10毫安
1.6
-
1.5
-
分钟。
50
50
12
BUK203-50Y
典型值。
55
55
17
马克斯。
65
65
21
单位
V
V
V
V
BG
5
-
40
V
-
0.1
2.2
0.1
-
2
4
1
A
A
mA
A
-
-
-
160
225
150
220
320
-
m
m
输入特性
T
mb
= 25 ℃; V
BG
= 13 V
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
35
6
-
1.5
典型值。
60
7.5
2.1
2
马克斯。
100
8.5
2.7
-
单位
A
V
V
V
1
开状态当电源电压低于9V。参见图8电阻增加。
2
定义为ISO 10483-1 。
3
这是从电池汲取的电流连续时的输入为低电平，并且包括漏电流给负载。
4
这是由电池在无负载连接绘制的连续电流，但与输入高。
5
测得的电流在仅装载销。
6
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
1995年4月
3
启1.100
