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飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
30
IC / A
5
4
PMG35A
VGE / V = 4
3
1E-2
1E-3
IE-4
+/- IGES / A
PMG35A
20
2.8
2.6
10
2.4
2.2
2
0
0
2
4
VCE / V
6
8
10
1E-5
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
0
5
10
VGE / V
15
20
图7 。典型的输出特性
I
C
= F（V
CE
） ;参数V
GE
;条件：T已
j
= 25C
IC / A
150
TJ / C = 25
-40
图10 。典型的门极 - 发射极退化特征
I
GES
= F（V
GE
） ;条件： V
CE
= 0 V ;牛逼
j
= 25C
ICES / MA
150
TJ / C = 25
-40
30
PMG35A
10
PMG35A
20
1
10
0
0
1
2
VGE / V
3
4
0.1
350
370
390
410
VCE / V
430
450
图8 。典型的传输特性
I
C
= F（V
GE
） ，参数T
j
;条件： V
CE
= 10 V
GFE / S
PMG35A
图11 。典型的收藏家钳特点
I
CES
= F（V
CE
） ;参数T
j;
条件： V
GE
= 0 V
35
30
25
20
2.5
VGE （ TO ） / V
BUK856-400IZ
2
马克斯。
1.5
15
10
5
0
0
150
TJ / C = 25
-40
典型值。
1
分钟。
10
IC / A
20
30
0.5
-40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80 100 120 140
图9 。典型正向跨导
g
fe
= F（我
C
） ;参数T
j;
条件： V
CE
= 10 V
图12 。栅极阈值电压
V
GE （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
C
= 1毫安; V
CE
= V
GE
1998年11月
4
修订版1.400
