添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第527页 > BUK856-400IZ
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
概述
受保护的N沟道逻辑电平
绝缘栅双极型功率
晶体管在一个塑料外壳，
用于汽车点火
应用程序。该装置具有
内置的齐纳二极管提供
活跃的集电极电压钳位
和ESD保护高达2千伏。
BUK856-400 IZ
快速参考数据
符号参数
V
（CL）的CER
V
CESAT
I
C
P
合计
E
CERS
集电极 - 发射极电压钳位
集电极 - 发射极导通电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
夹紧能量耗散
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
370
410
500
2.2
20
100
300
V
V
A
W
mJ
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
TAB
符号
c
g
1 23
e
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
CE
V
CE
±V
GE
I
C
I
C
I
CM
I
CLM
E
CERS
E
CERR1
E
ECR1
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集气器 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲峰值，
导通状态）
集电极电流（钳位感性
负载）
钳位关断能量
（不重复）
钳位关断能量（重复）
反向雪崩能量
（重复）
总功耗
储存温度
工作结温
条件
t
p
≤
500
s
连续
-
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10毫秒;
V
CE
≤
15 V
1 k
≤
R
G
≤
10 k
T
mb
= 25°C ;我
C
= 10 A;
G
= 1 k;
参见图。 23,24
T
mb
= 100 ℃;我
C
= 8 A;
G
= 1 k;
F = 50赫兹
I
E
= 1 ; F = 50赫兹
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-40
马克斯。
500
50
12
10
20
25
10
300
125
5
125
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
mJ
mJ
mJ
W
C
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
这适用于短线操作的点火电路的开放式二次点火线圈。
1998年11月
1
修订版1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
条件
在自由空气
典型值。
-
60
BUK856-400 IZ
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CG
V
（ BR ）， EC
±V
（ BR ） GES
V
GE （ TO ）
V
GE （ TO ）
I
CES
I
CES
I
EC
I
EC
I
GES
V
CESAT
参数
集电极 - 门齐纳
击穿电压
反向集电极 - 发射极
击穿电压
门极 - 发射极击穿
电压
栅极阈值电压
栅极阈值电压
零门极电压集电极
当前
零门极电压集电极
当前
反向集电极电流
反向集电极电流
栅射极漏电流
集电极 - 发射极导通状态
电压
条件
2毫安
≤
-I
G
≤
5毫安; -40
≤
T
j
≤150C
I
E
= 10毫安
I
G
=
±
1毫安
V
CE
= V
GE
; I
C
= 1毫安
V
CE
= V
GE
; I
C
= 1毫安;
-40
≤
T
j
≤150C
V
CE
= 50 V; V
GE
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
T
j
= 125 C
V
CE
= -20 V
V
CE
= -20 V ;牛逼
j
= 125C
V
GE
=
±6
V
T
j
= 150C
V
GE
= 4.5 V ;我
C
= 8 A
V
GE
= 3.5 V ;我
C
= 6 A;
-40
≤
T
j
≤150C
分钟。
370
20
12
1
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
410
30
16
1.5
-
0.01
0.01
0.2
2
0.1
5
1.2
1.2
马克斯。
500
50
20
2
2.4
10
1
5
20
1
100
2.2
2.2
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
A
A
V
V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（CL）的CER
参数
条件
分钟。
370
典型值。
410
马克斯。
500
单位
V
集电极 - 发射极钳位电压
G
= 1 kΩ的;我
C
= 10 A;
（峰值）
-40
≤
T
j
≤150C;
感性负载;看
图。 23,24
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
关断能量损失
V
CE
= 15 V ;我
C
= 4 A
V
GE
= 0 V; V
CE
= 25 V ; F = 1 MHz的
g
fe
C
IES
C
OES
C
水库
t
D OFF
t
f
t
c
E
关闭
5.5
850
-
-
-
-
-
-
15
940
95
30
13
6
12
13
20
1200
130
50
18
10
-
-
S
pF
pF
pF
s
s
s
mJ
I
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ;
G
= 1 k;
V
GE
= 5 V ;牛逼
j
= 125C;
感性负载;参见图。 20,21
1998年11月
2
修订版1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
1E+01
第Z （ J- MB ） / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
P
D
t
p
t
D = P
T
PD ％
归一化功率降额
1E+00
D=
0.5
0.2
1E-01
0.1
0.05
0.02
1E-02
0
30
20
10
0
1E+01
t
T
1E-03
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图1 。瞬态热阻抗
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
IC / A
我CLM
10
BUK8Y6-400IZ
图4 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100.P
D
/P
25℃
= F （T
mb
)
ICLM / A
BUK8Y6-400IZ
15
10
自钳位
1
5
0.1
0
200
VCE / V
400
600
0
0
50
100
150
此时dvCE / DT （V /美国）
200
图2 。关闭安全工作区
条件：T已
j
≤
T
JMAX 。
; R
G
≥
1 k
VCE / V
TJ / C =
150
25
-40
图5 。我降额
CLM
与关断的dV
CE
/ DT
条件： V
CE
≤
500 V ;牛逼
j
≤
T
JMAX 。
VCE / V
TJ / C =
150
25
-40
3
PMG35A
2
PMG35A
1.5
2
1
1
0.5
0
0
4
8
12
16
IC / A
20
24
0
0
4
8
12
16
IC / A
20
24
如图3所示。典型导通状态电压
V
CESAT
= F（我
C
） ;参数T
j
;条件： V
GE
= 3.5 V
图6 。典型导通状态电压
V
CESAT
= F（我
C
） ;参数T
j
;条件： V
GE
= 5 V
1998年11月
3
修订版1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
30
IC / A
5
4
PMG35A
VGE / V = 4
3
1E-2
1E-3
IE-4
+/- IGES / A
PMG35A
20
2.8
2.6
10
2.4
2.2
2
0
0
2
4
VCE / V
6
8
10
1E-5
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
0
5
10
VGE / V
15
20
图7 。典型的输出特性
I
C
= F（V
CE
） ;参数V
GE
;条件：T已
j
= 25C
IC / A
150
TJ / C = 25
-40
图10 。典型的门极 - 发射极退化特征
I
GES
= F（V
GE
） ;条件： V
CE
= 0 V ;牛逼
j
= 25C
ICES / MA
150
TJ / C = 25
-40
30
PMG35A
10
PMG35A
20
1
10
0
0
1
2
VGE / V
3
4
0.1
350
370
390
410
VCE / V
430
450
图8 。典型的传输特性
I
C
= F（V
GE
） ，参数T
j
;条件： V
CE
= 10 V
GFE / S
PMG35A
图11 。典型的收藏家钳特点
I
CES
= F（V
CE
） ;参数T
j;
条件： V
GE
= 0 V
35
30
25
20
2.5
VGE （ TO ） / V
BUK856-400IZ
2
马克斯。
1.5
15
10
5
0
0
150
TJ / C = 25
-40
典型值。
1
分钟。
10
IC / A
20
30
0.5
-40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80 100 120 140
图9 。典型正向跨导
g
fe
= F（我
C
） ;参数T
j;
条件： V
CE
= 10 V
图12 。栅极阈值电压
V
GE （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
C
= 1毫安; V
CE
= V
GE
1998年11月
4
修订版1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
1E-01
IC / A
亚阈值传导
100
T /我们， E /兆焦耳
PMG35A
1E-02
2%
98 %
TD （关闭）
E（ OFF）
典型值
1E-03
10
1E-04
tf
1E-05
1E-06
0
0.4
0.8
1.2
VGE / V
1.6
2
2.4
1
0
1
2
3
RG /千欧
4
5
图13 。亚阈值集电极电流
I
C
= F（V
GE
); T
j
= 25°C ; V
CE
= V
GE
VGE / V
PMG35A
图16 。典型的开关特性与
G
条件：T已
j
= 125 ℃;我
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ; L
C
= 5 mH的。
T /我们， E /兆焦耳
15
PMG35A
6
5
VCC / V = 12
4
TD （关闭）
300
3
2
1
0
0
10
20
QG / NC
30
10
E（ OFF）
5
tf
0
0
50
TJ / C
100
150
图14 。典型导通栅极电荷特性
V
GE
= F （Q
G
） ;条件：我
C
= 8 A.
C / pF的
pmg35a
图17 。典型的开关特性与T
j
条件：我
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ;
G
=1 k
; L
C
= 5 mH的。
T /我们， E /兆焦耳
15
TD （关闭）
10000
PMG35A
1000
资本投资者入境计划
10
tf
100
卓越中心
5
10
0.01
0.1
1
10
VCE / V
100
CRES
0
0
E（ OFF）
1000
2
4
IC / A
6
8
10
图15 。典型的电容C
IES
, C
OES
, C
水库
C = F（V
CE
） ;条件： V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
图18 。典型的开关特性与我
C
条件：T已
j
= 125 C V
CL
= 300 V ;
G
=1 k
; L
C
= 5 mH的。
1998年11月
5
修订版1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
概述
受保护的N沟道逻辑电平
绝缘栅双极型功率
晶体管在一个塑料外壳，
用于汽车点火
应用程序。该装置具有
内置的齐纳二极管提供
活跃的集电极电压钳位
和ESD保护高达2千伏。
BUK856-400 IZ
快速参考数据
符号参数
V
（CL）的CER
V
CESAT
I
C
P
合计
E
CERS
集电极 - 发射极电压钳位
集电极 - 发射极导通电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
夹紧能量耗散
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
350
400
500
2.2
20
100
300
V
V
A
W
mJ
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
TAB
符号
c
g
1 23
e
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
CE
V
CE
±V
GE
I
C
I
C
I
CM
I
CLM
E
CERS
E
CERR1
E
ECR1
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集气器 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲峰值，
导通状态）
集电极电流（钳位感性
负载）
钳位关断能量
（不重复）
钳位关断能量（重复）
反向雪崩能量
（重复）
总功耗
储存温度
工作结温
条件
t
p
≤
500
s
连续
-
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10毫秒;
V
CE
≤
15 V
1 k
≤
R
G
≤
10 k
T
mb
= 25°C ;我
C
= 10 A;
G
= 1 k;
参见图。 23,24
T
mb
= 100 ℃;我
C
= 8 A;
G
= 1 k;
F = 50赫兹
I
E
= 1 ; F = 50赫兹
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-40
马克斯。
500
50
12
10
20
25
10
300
125
5
125
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
mJ
mJ
mJ
W
C
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
这适用于短线操作的点火电路的开放式二次点火线圈。
1996年12月
1
修订版1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
条件
在自由空气
典型值。
-
60
BUK856-400 IZ
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CG
V
（ BR ）， EC
±V
（ BR ） GES
V
GE （ TO ）
V
GE （ TO ）
I
CES
I
CES
I
EC
I
EC
I
GES
V
CESAT
参数
集电极 - 门齐纳
击穿电压
反向集电极 - 发射极
击穿电压
门极 - 发射极击穿
电压
栅极阈值电压
栅极阈值电压
零门极电压集电极
当前
零门极电压集电极
当前
反向集电极电流
反向集电极电流
栅射极漏电流
集电极 - 发射极导通状态
电压
条件
2毫安
≤
-I
G
≤
5毫安; -40
≤
T
j
≤150C
I
E
= 10毫安
I
G
=
±
1毫安
V
CE
= V
GE
; I
C
= 1毫安
V
CE
= V
GE
; I
C
= 1毫安;
-40
≤
T
j
≤150C
V
CE
= 50 V; V
GE
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
T
j
= 125 C
V
CE
= -20 V
V
CE
= -20 V ;牛逼
j
= 125C
V
GE
=
±6
V
T
j
= 150C
V
GE
= 4.5 V ;我
C
= 8 A
V
GE
= 3.5 V ;我
C
= 6 A;
-40
≤
T
j
≤150C
分钟。
350
20
12
1
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
400
30
16
1.5
-
0.01
0.01
0.2
2
0.1
5
1.2
1.2
马克斯。
500
50
20
2
2.4
10
1
5
20
1
100
2.2
2.2
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
A
A
V
V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（CL）的CER
参数
条件
分钟。
350
典型值。
400
马克斯。
500
单位
V
集电极 - 发射极钳位电压
G
= 1 kΩ的;我
C
= 10 A;
（峰值）
-40
≤
T
j
≤150C;
感性负载;看
图。 23,24
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
关断能量损失
V
CE
= 15 V ;我
C
= 4 A
V
GE
= 0 V; V
CE
= 25 V ; F = 1 MHz的
g
fe
C
IES
C
OES
C
水库
t
D OFF
t
f
t
c
E
关闭
5.5
-
-
-
-
-
-
-
15
940
95
30
13
6
12
13
20
1200
130
50
18
10
-
-
S
pF
pF
pF
s
s
s
mJ
I
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ;
G
= 1 k;
V
GE
= 5 V ;牛逼
j
= 125C;
感性负载;参见图。 20,21
1996年12月
2
修订版1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
1E+01
第Z （ J- MB ） / （K / W）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
P
D
t
p
t
D = P
T
PD ％
归一化功率降额
1E+00
D=
0.5
0.2
1E-01
0.1
0.05
0.02
1E-02
0
30
20
10
0
1E+01
t
T
1E-03
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
图1 。瞬态热阻抗
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
IC / A
我CLM
10
BUK8Y6-400IZ
图4 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100.P
D
/P
25℃
= F （T
mb
)
ICLM / A
BUK8Y6-400IZ
15
10
自钳位
1
5
0.1
0
200
VCE / V
400
600
0
0
50
100
150
此时dvCE / DT （V /美国）
200
图2 。关闭安全工作区
条件：T已
j
≤
T
JMAX 。
; R
G
≥
1 k
VCE / V
TJ / C =
150
25
-40
图5 。我降额
CLM
与关断的dV
CE
/ DT
条件： V
CE
≤
500 V ;牛逼
j
≤
T
JMAX 。
VCE / V
TJ / C =
150
25
-40
3
PMG35A
2
PMG35A
1.5
2
1
1
0.5
0
0
4
8
12
16
IC / A
20
24
0
0
4
8
12
16
IC / A
20
24
如图3所示。典型导通状态电压
V
CESAT
= F（我
C
） ;参数T
j
;条件： V
GE
= 3.5 V
图6 。典型导通状态电压
V
CESAT
= F（我
C
） ;参数T
j
;条件： V
GE
= 5 V
1996年12月
3
修订版1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
30
IC / A
5
4
PMG35A
VGE / V = 4
3
1E-2
1E-3
IE-4
+/- IGES / A
PMG35A
20
2.8
2.6
10
2.4
2.2
2
0
0
2
4
VCE / V
6
8
10
1E-5
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
0
5
10
VGE / V
15
20
图7 。典型的输出特性
I
C
= F（V
CE
） ;参数V
GE
;条件：T已
j
= 25C
IC / A
150
TJ / C = 25
-40
图10 。典型的门极 - 发射极退化特征
I
GES
= F（V
GE
） ;条件： V
CE
= 0 V ;牛逼
j
= 25C
ICES / MA
150
TJ / C = 25
-40
30
PMG35A
10
PMG35A
20
1
10
0
0
1
2
VGE / V
3
4
0.1
350
370
390
410
VCE / V
430
450
图8 。典型的传输特性
I
C
= F（V
GE
） ，参数T
j
;条件： V
CE
= 10 V
GFE / S
PMG35A
图11 。典型的收藏家钳特点
I
CES
= F（V
CE
） ;参数T
j;
条件： V
GE
= 0 V
35
30
25
20
2.5
VGE （ TO ） / V
BUK856-400IZ
2
马克斯。
1.5
15
10
5
0
0
150
TJ / C = 25
-40
典型值。
1
分钟。
10
IC / A
20
30
0.5
-40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80 100 120 140
图9 。典型正向跨导
g
fe
= F（我
C
） ;参数T
j;
条件： V
CE
= 10 V
图12 。栅极阈值电压
V
GE （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
C
= 1毫安; V
CE
= V
GE
1996年12月
4
修订版1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
绝缘栅双极晶体管
受保护的逻辑电平IGBT
BUK856-400 IZ
1E-01
IC / A
亚阈值传导
100
T /我们， E /兆焦耳
PMG35A
1E-02
2%
98 %
TD （关闭）
E（ OFF）
典型值
1E-03
10
1E-04
tf
1E-05
1E-06
0
0.4
0.8
1.2
VGE / V
1.6
2
2.4
1
0
1
2
3
RG /千欧
4
5
图13 。亚阈值集电极电流
I
C
= F（V
GE
); T
j
= 25°C ; V
CE
= V
GE
VGE / V
PMG35A
图16 。典型的开关特性与
G
条件：T已
j
= 125 ℃;我
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ; L
C
= 5 mH的。
T /我们， E /兆焦耳
15
PMG35A
6
5
VCC / V = 12
4
TD （关闭）
300
3
2
1
0
0
10
20
QG / NC
30
10
E（ OFF）
5
tf
0
0
50
TJ / C
100
150
图14 。典型导通栅极电荷特性
V
GE
= F （Q
G
） ;条件：我
C
= 8 A.
C / pF的
pmg35a
图17 。典型的开关特性与T
j
条件：我
C
= 8 A; V
CL
= 300 V ;
G
=1 k
; L
C
= 5 mH的。
T /我们， E /兆焦耳
15
TD （关闭）
10000
PMG35A
1000
资本投资者入境计划
10
tf
100
卓越中心
5
10
0.01
0.1
1
10
VCE / V
100
CRES
0
0
E（ OFF）
1000
2
4
IC / A
6
8
10
图15 。典型的电容C
IES
, C
OES
, C
水库
C = F（V
CE
） ;条件： V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
图18 。典型的开关特性与我
C
条件：T已
j
= 125 C V
CL
= 300 V ;
G
=1 k
; L
C
= 5 mH的。
1996年12月
5
修订版1.200
查看更多BUK856-400IZPDF信息
推荐型号
BAM20
B32561J1684K
B32561-J1684-K
B32023B3104M189
BKME500ESS3R3ME11D
BZV58C180
b32529c0333k289
B32521C1105
B32521-C1105
BFC237015474
B78108S1273K000
BX80528JK150GR
B43305A5686M002
BSS83
B37940J1010D562
BZW04-11B
B66358-G-X197
B64290-L697
BP5310
BXB150-48S15FHT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUK856-400IZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BUK856-400IZ
NXP
24+
9850
TO-220
100%原装正品，可长期订货
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BUK856-400IZ
NXP/恩智浦
21+
8500
TO-220
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BUK856-400IZ
NXP/恩智浦
21+
8500
TO-220
全新原装正品/质量有保证
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388352 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388354 复制
电话：0755-83035139
联系人：陈小姐
地址：深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
BUK856-400IZ
PHILIPS
9616
796
TO220-AB
原装正品！价格优势！
北京上用科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BUK856-400IZ
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9343
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多BUK856-400IZ供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！