SUP57N20-33
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
3.0
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
2.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
240
漏源击穿对比
结温
230
100
V
（ BR ） DSS
(V)
220
I
DAV
(a)
I
D
= 1.0毫安
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
10
210
200
1
190
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
t
in
（秒）
T
J
- 结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 72100
S- 22449 -REV 。 A， 20 -JAN- 03
