SUP57N20-33
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
140
V
GS
= 10到7 V
120
I
D
- 漏电流（ A）
100
80
60
40
5V
20
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
20
25_C
-55
_C
I
D
- 漏电流（ A）
6V
120
100
80
60
40
T
C
= 125_C
140
Vishay Siliconix公司
传输特性
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
180
T
C
= -55_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
150
g
fs
- 跨导（S ）
25_C
120
125_C
90
0.060
导通电阻与漏电流
0.045
V
GS
= 10 V
0.030
60
0.015
30
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
电容
7000
6000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
C
RSS
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 100 V
I
D
= 65 A
12
8
4
C
OSS
0
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72100
S- 22449 -REV 。 A， 20 -JAN- 03
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
