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三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
EDO模式循环
（读，写初，读写，读 - 修改 - 写周期，读写混合周期，高阻通过控制OE或W）
范围
符号
t
HPC
t
HPRWC
t
DOH
t
RAS
t
CP
t
CPRH
t
CPWD
t
CHOL
t
OEPE
t
WPE
t
HCWD
t
HAWD
t
HPWD
t
HCOD
t
HAOD
t
HPOD
参数
（注26 ）
超页模式的读/写周期时间
超页模式阅读写/读 - 修改 - 写周期时间
中国科学院低输出保持时间
（注27 ）
RAS的低脉冲宽度为读或写周期
（注28 ）
CAS高脉冲宽度
RAS预充电CAS后保持时间
（注24 ）
延迟时间CAS预充电至W低
保持时间，保持数据的Hi- Z键直至CAS访问
OE脉冲宽度（高阻控制）
W脉冲宽度（高阻控制）
延迟时间CAS低到读取后W低
延迟时间，地址为W低后读
延迟时间CAS预充电至W低后读
延迟时间CAS低到OE读取后高
延迟时间，地址到OE读取后高
延迟时间CAS预充电到OE读取后高
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
（注25 ）
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
20
57
5
65
8
28
43
7
7
7
28
40
43
13
25
28
最大
100000
13
民
25
66
5
77
10
33
50
7
7
7
32
47
50
15
30
33
最大
100000
16
民
30
79
5
92
10
38
60
7
7
7
42
57
60
20
35
38
最大
100000
16
注25 ：所有先前指定的定时要求和开关特性适用于它们各自的EDO模式的周期。
记
26 :
t
HPC （分钟）
被指定为只读的，并且早只写在EDO模式的情况。
记
27 :
t
RAS （分钟）
被指定为CAS号输入的两个周期中执行。
记
28 :
t
CP（ MAX）的
被指定为唯一的一个参考点。
CAS前RAS刷新周期
符号
t
企业社会责任
t
CHR
t
CAS
（注29 ）
范围
参数
前RAS低CAS建立时间
CAS RAS低后保持时间
CAS低脉冲宽度
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
ns
ns
ns
民
5
10
17
最大
民
5
10
17
最大
民
5
15
22
最大
注29 ： RAS周期，而不是8 RAS周期前八个或更多CAS是必要的CAS的正常运行RAS的刷新模式之前。
自刷新周期
*
符号
t
RASS
t
RPS
t
CHS
（注30 ）
范围
参数
CBR的自刷新的RAS低脉冲宽度
CBR自刷新高RAS预充电时间
CBR自刷新CAS保持时间
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
s
ns
ns
民
100
90
-50
最大
民
100
110
-50
最大
民
100
130
-50
最大
7
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
